六ホウ化セリウム・ディスクの説明
六ホウ化セリウム・ディスクは、粉末状の六ホウ化セリウムを圧縮・加熱する焼結を中心とした入念な製造工程を経て製造されます。これにより、六ホウ化セリウムの有利な特性を保持した緻密で強固なセラミック構造が得られます。このセラミック部品は、高性能の電子放出が要求される技術用途向けに設計されており、信頼性が高く効率的な電子ビームの供給に優れています。高輝度で有名なこのセラミック部品は、生成される電子ビームの強度を大幅に向上させます。

六ホウ化セリウムディスク仕様
| パラメータ | 単位 | CeB6 | 
| 化学量論 | 該当なし | ~6 | 
| 金属不純物 | 重量ppm | <30 | 
| 密度 | g/cm3 | 4.80 | 
| 熱膨張係数 | α*106 | 6.2 | 
| 電気抵抗率 | μΩ-cm | ~65 | 
| 1800Kでの有効仕事関数(100) | eV | 2.65 | 
| 0.65ミクロンでの分光放射率 | 該当なし | 0.779 | 
| 1800K(UHV)における蒸発率 | g | 1.6×10-9 | 
| 特定の配向に対する配向限界 | 度 | <2 | 
| 1800Kでのパイロライトブロック実装抵抗 | オーム | 1.45 | 
プロトタイピングサービスは、他のセラミック材料でもご利用いただけます。
アルミナ
窒化アルミニウム
窒化ホウ素
炭化ケイ素
窒化ケイ素
ジルコニア
六ホウ化セリウムディスクの用途
1.熱電子陰極:CeB6ディスクは、電子銃、特に電子顕微鏡、X線管、粒子加速器の熱電子陰極としてよく使用されます。安定した効率的な電子放出により、安定した電子ビームの生成に理想的です。
2.真空電子デバイス:進行波管(TWT)やクライストロンなど、電気通信やレーダーシステムに使用されるデバイスでは、CeB6ディスクはその高い放出効率により電子源として機能する。
3.イオンスラスター:他のCeB6コンポーネントと同様に、ディスクは宇宙船のイオン推進システムに使用される。その役割は、高温で電子を放出する能力により、推進に必要なイオン化プラズマを生成する上で極めて重要である。
4.表面科学研究:CeB6ディスクは、研究環境、特に高温・真空条件下で特性を試験する表面科学研究で使用されている。これは、原子レベルでの材料の挙動を理解するのに役立つ。
5.フィールドエミッションディスプレイ(FED):CeB6ディスクは、高効率・高輝度ディスプレイ技術であるフィールドエミッションディスプレイの電子エミッターとして使用できる。
6.校正および参照ソース:CeB6ディスクは、その安定した発光特性により、様々な科学機器の校正装置における標準電子源として使用することができる。
7.高温電子機器:ある種の高温電子アプリケーションにおいて、CeB6ディスクは、過酷な条件下で信頼性の高い電子放出が要求される部品として使用することができる。
六ホウ化セリウムディスクのパッキング
六ホウ化セリウムディスクは、効率的な識別と品質管理を確実にするため、外部に明確なタグとラベルが付けられています。また、保管中や輸送中に破損することがないよう、細心の注意を払っています。
六ホウ化セリウムディスクに関するFAQ
Q1: 六ホウ化セリウムディスクとは何ですか?
回答六ホウ化セリウム(CeB₆)ディスクは、六ホウ化セリウムから作られた円形のディスクで、その優れた電子放出特性、高融点、化学的安定性で知られています。このディスクは様々なハイテク用途に使用されています。
Q2: なぜ六ホウ化セリウムが電子放出用途に好まれるのですか?
回答CeB₆は、仕事関数が低く、電子放出効率が高く、高温でも安定であるため、高真空条件下で安定した電子ビームを発生させるのに理想的だからです。
Q3: 六ホウ化セリウムディスクはどのように製造されるのですか?
回答CeB₆ディスクは通常、粉末冶金技術を使って製造されます。この技術では、CeB₆粉末をプレスしてディスク形状にした後、高温で焼結して目的の密度と機械的特性を実現します。
             
            
            
                仕様
                
| パラメータ | 単位 | CeB6 | 
| 化学量論 | 該当なし | ~6 | 
| 金属不純物 | 重量ppm | <30 | 
| 密度 | g/cm3 | 4.80 | 
| 熱膨張係数 | α*106 | 6.2 | 
| 電気抵抗率 | μΩ-cm | ~65 | 
| 1800Kでの有効仕事関数(100) | eV | 2.65 | 
| 0.65ミクロンでの分光放射率 | 該当なし | 0.779 | 
| 1800K(UHV)における蒸発率 | g | 1.6×10-9 | 
| 特定の配向に対する配向限界 | 度 | <2 | 
| 1800Kでのパイロライトブロック実装抵抗 | オーム | 1.45 | 
*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。