窒化鉄蒸着材料の説明
窒化鉄(FeN)蒸着材料は様々な薄膜蒸着に不可欠な材料です。
窒化鉄(FeN4)蒸着材料は、そのユニークな組成と特性により、科学研究と技術開発において大きな関心を集めています。FeN4化合物は、新規な磁性材料および触媒材料としての可能性を秘めており、先端エレクトロニクス、触媒、エネルギー貯蔵システムなどの多様な分野における技術革新の機会を提供します。調整可能な磁気モーメントやスピン配置を含むその磁気特性は、スピントロニクスや磁気データ記憶デバイスの有望な候補となる。さらに、FeN4材料は興味深い触媒活性を示し、化学合成、環境浄化、エネルギー変換プロセスへの応用が期待されている。さらに、その構造の多様性と様々な条件下での安定性から、電池の電極材料や燃料電池の電極触媒としても魅力的である。研究が進むにつれ、FeN4化合物の複雑さが明らかになり、その多彩な特性は、性能と持続可能性を高めた次世代技術の開発に道を開くと期待されている。
窒化鉄蒸着材料の仕様
物性値 |
値 |
材料タイプ |
窒化鉄 |
記号 |
FeN |
外観/色 |
メタリックグレー |
融点 |
約1,473℃(2,683°F) |
密度 |
6.77 g/cm³ |
純度 |
99.9% ~ 99.99% |
形状 |
粉末/顆粒/特注品 |
窒化鉄蒸着材料用途
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磁気薄膜:窒化鉄薄膜は、その優れた磁気特性により、ハードディスクドライブ(HDD)や磁気センサーなどの磁気記録媒体の製造に使用されています。
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半導体製造:半導体製造では、先端集積回路(IC)のゲート電極や配線の材料として窒化鉄が採用されている。
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センサー窒化鉄薄膜は、磁場センサー、ガスセンサー、バイオセンサーなど、さまざまなセンサー用途に利用されています。
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磁気メモリー・デバイス:窒化鉄薄膜は、磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)のような次世代の不揮発性磁気メモリーデバイスの開発において重要な役割を果たしている。
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オプトエレクトロニクス:窒化鉄は、発光ダイオード(LED)や光検出器などのオプトエレクトロニクス・デバイスやシステムへの応用が期待されている。
窒化鉄蒸着材料のカスタマイズ
各プロジェクトには固有の要件があることを理解しています。スタンフォード・アドバンスト・マテリアルズのチームは、窒化鉄蒸発材料のカスタマイズオプションを提供しています。特定の形状、サイズ、または純度レベルが必要であるかどうかにかかわらず、お客様の正確な仕様を満たすためにカスタマイズされたソリューションを提供します。
窒化鉄蒸発材料の包装
当社の窒化鉄蒸発材料は、輸送および保管中の品質と完全性を保証するために細心の注意を払って梱包されています。取り扱いと配送中に発生する可能性のある損傷を防ぐために細心の注意を払っています。