スライディング強誘電体を用いた超高速耐久メモリー

タイトル	スライディング強誘電体を用いた超高速耐久メモリー
著者紹介	安田賢二、エヴァン・ザリス＝ゲラー、王錫瑞、ダニエル・ベネット、スラジ・S・チーマ、渡辺健二、谷口崇、エフティミオス・カキシラス、パブロ・ハリージョ＝ヘレロ、レイモンド・アショリ
雑誌	サイエンス
日付	07/05/2024
土居	10.1126/science.adp3575
はじめに	電圧スイッチング可能な集団的電子現象が原子スケールで持続する能力は、小型でエネルギー効率に優れたエレクトロニクス、特に不揮発性メモリの開発に大きな期待が寄せられている。本研究では、窒化ホウ素二層内のスライディング強誘電性を利用した強誘電体電界効果トランジスタ（FeFET）の室温での特性を評価した。スライディング強誘電性は、原子レベルの薄さの2次元（2D）強誘電体において、層間スライディングを介した面外分極の変調を伴う独特のメカニズムを提供する。単層グラフェンチャンネルを特徴とするこのFeFETデバイスは、ナノ秒単位の超高速スイッチングと10^11サイクルを超える優れた耐久性を達成し、主要なFeFET技術に匹敵する性能を示した。これらの特性は、2次元スライディング強誘電体が将来の不揮発性メモリ・アプリケーションの発展に有用であることを裏付けている。
引用	スライディング強誘電体に基づく超高速高耐久性メモリー。Science.2024.Vol.385(6704):53-56。DOI: 10.1126/science.adp3575
エレメント	ホウ素（B） , 窒素（N） , カーボン（C）
テーマ	スマート＆ファンクショナル・マテリアル
産業	エレクトロニクス