電着レニウムにおける超伝導転移温度の向上

タイトル	電着レニウムにおける超伝導転移温度の向上
著者紹介	D.P. Pappas, D. E. David, R. E. Lake, M. Bal, R. B. Goldfarb, D. A. Hite, E. Kim, H.-S. Ku, J. L. Long, C. R. H. McRae, L. D. Pappas, A. Roshko, J. G. Wen, B. L. T. Plourdeクー、J.L.ロング、C.R.H.マクレー、L.D.パパス、A.ロシュコ、J.G.ウェン、B.L.T.プルード、I.アルスラン、X.ウー
雑誌	アプライド・フィジックス・レターズ
日付	10/24/2024
土居	10.1063/1.5027104
はじめに	われわれの研究は、銅、金、パラジウムのような貴金属と電気メッキすることによって開発されたレニウム薄膜が、従来のRe調製法に比べて高度な超伝導臨界温度を示すことを示している。1.8Kでの磁場応答から、上部臨界磁場が2.5T付近のII型超伝導であることが確認され、液体ヘリウム温度以上でも10^7A/m^2を超える臨界電流密度を記録した。これらの薄膜は、標準的な回路基板上の銅トレースを持つ共振器に適用した場合、低い高周波損失を示し、様々な低温電子部品への組み込みに適している。
引用	D.P. Pappas, D. E. David and R. E. Lake et al. Enhanced superconducting transition temperature in electroplated rhenium.2018.doi: 10.1063/1.5027104
エレメント	銅（Cu） , パラジウム
テーマ	蒸着プロセス
産業	エレクトロニクス

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