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原子状二硫化レニウム層の上部バンドギャップのプローブ

タイトル	原子状二硫化レニウム層の上部バンドギャップのプローブ
著者紹介	クリシュナ・P．ダカル、キム・ヒョンミン、イ・ソンウ、キム・ヨンジェ、イ・ジェドン、アン・ジョンヒョン
雑誌	光、科学と応用
日付	11/28/2018
土居	10.1038/s41377-018-0100-3
はじめに	本研究では、時間分解第二高調波発生（TSHG）顕微鏡法と密度汎関数理論（DFT）計算を用いて、剥離ReS2膜の超高速キャリアダイナミクスと電子状態に焦点を当てた。我々は、1.19eVビームを用いて、様々な膜厚の第二高調波発生(SHG)を観察した。約13nmまで増加し、その後バルク干渉光吸収により減少した。励起子バンドギャップ(1.57eV)に調整されたポンプパルスは、プローブ遅延に基づく減衰から上昇へのTSHGプロファイルをもたらした。電子-正孔再結合は欠陥や表面の影響を受け、励起状態における2.38eVの2つの光子吸収は、禁制のd-d殻内軌道遷移との相関により制限される。波長可変SHGプローブ(2.60-2.82eV)と共に周波数倍増ポンプ(2.38eV)を用い、TSHGプロファイルの減衰から上昇、上昇から減衰への変化を検出し、最高被占分子軌道状態から約5.05eVの電子吸収状態(s軌道)があることを示唆した。この発見は、電子遷移と小さな上部バンドギャップ（〜0.5eV）を考慮して、修正DFT計算を用いて批判的に評価された。
引用	クリシュナ・P.Dhakal, Hyunmin Kim and Seonwoo Lee et al. Probing the upper band gap of atomic rhenium disulfide layers.2018.DOI: 10.1038/s41377-018-0100-3
材料	化学化合物

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