硫化インジウム(II) InSの説明
硫化インジウム(II)(InS)は、バンドギャップが狭い半導体材料であり、様々なオプトエレクトロニクス用途に適しています。InSは高い安定性と、特定の波長の光を吸収・放出する能力を含むユニークな電子・光学特性を示す。InSは通常、六方晶または立方晶の結晶構造を持ち、高い導電性と薄膜技術への組み込みやすさで知られている。その半導体の性質から、光検出器、太陽電池、その他の電子デバイスによく使用され、光を電気エネルギーに変換したり、デバイスの性能を向上させたりする上で重要な役割を果たしている。
硫化インジウム(II) InSの仕様:
公称化学組成
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InS
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色/外観
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黒色または赤褐色結晶
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分子量
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146.88
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純度
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99.99-99.9999%
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密度
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5.18 g/cm³
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融点
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687-697℃
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硫化インジウム(II) InSの用途
1.光検出器:特定の波長の光を検出する光センシングデバイスに使用される。
太陽電池:光起電力エネルギー変換のための吸収体材料として研究されている。
薄膜トランジスタ(TFT):ディスプレイやセンサー技術の電子回路に組み込まれる。
ガスセンサー:InSベースのナノシートは、二酸化窒素(NO₂)を検出するための高い感度と選択性を示す。
フレキシブルエレクトロニクス:曲げたり身につけたりできる電子機器の可能性を研究。
オプトエレクトロニクス:その良好な光学特性により、発光デバイスやフォトニックデバイスに応用されている。
硫化インジウム(II) InS パッキング:
当社の硫化インジウム(II) InSは、製品の品質を元の状態に保つため、保管中および輸送中に慎重に取り扱われます。
硫化インジウム(II) InSに関するFAQ:
Q1: InSのバンドギャップはどのくらいですか?
A1: InSのバンドギャップは約1.9eVで、オプトエレクトロニクスや太陽光発電の用途に適しています。
Q2: 硫化インジウム(II)は有毒ですか?
A2: 毒性は高くありませんが、InSは手袋や目の保護などの適切な安全予防措置を用いて慎重に取り扱う必要があります。詳細な取り扱いガイドラインについては、安全データシート(SDS)をご参照ください。
Q3: 硫化インジウム(II)はどのように保管すべきですか?
A3: 安定性を維持するため、湿気や反応性化学物質を避け、涼しく乾燥した環境で保管する必要があります。