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  • AS3651 硫化ヒ素 (Ar2S3) 結晶

    • AS3651 硫化ヒ素 (Ar2S3) 結晶

    カタログ番号 AS3651
    素材 Ar2S3
    成長法 ブリヂマン-ストックバーガー
    バンドギャップ バルクでは ~2.2 eV
    純度 99.999%

    硫化ヒ素(As2S3)は、ダイレクトギャップ半導体であり、約2.5eVのバンドギャップを持っています。Stanford Advanced Materials （SAM）は、高品質の光学製品の製造と供給において豊富な経験を有しています。

    関連製品二硫化クロム（CrBr3）結晶、二硫化ハフニウム（HfS2） 結晶、二硫化タングステン（WS2）結晶

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