Au/CrコートSiO2/Si基板の説明
金メッキシリコン・ウェーハは、シリコン上に金を薄く蒸着させた基板です。通常、ウェハは5nmのクロム(Cr)層でプレコーティングされ、その後50nmの厚さの金膜が形成されます。このユニークな構造により、ウェハーの物理的特性が向上し、様々な科学および産業分野における幅広い高度なアプリケーションに適しています。金メッキは優れた導電性、生体適合性、耐腐食性を提供し、このウェハーを研究および商業目的の両方に理想的なものにしている。
金メッキ層はシリコン・ウェーハの機械的安定性と電気的性能を向上させるだけでなく、精密な測定やイメージングのための滑らかで平坦な表面を提供します。金メッキシリコン・ウェーハの多用途性により、実験室と産業環境の両方で貴重なツールとなります。
Au/CrコートSiO2/Si基板の仕様
| 組成 | Au、Cr、SiO2、Si | 
| 膜厚 | Au(111)=50 nm、室温で~50 nm Cr=5 nm SiO2=300 nm Si(100)PタイプBドープ ~525 um プライムグレード | 
| 抵抗率  | <0.005 ohm.cm | 
| 基板サイズ  | 直径4インチ±0.5mm x 0.5mm | 
| 研磨 | 片面研磨 | 
| 表面粗さ | < 10 A RMS | 
Au/CrコートSiO2/Si基板アプリケーション
- 走査型電子顕微鏡 (SEM)
金めっきシリコンウェーハは、走査型電子顕微鏡(SEM)のイメージングおよび分析用基板として広く使用されています。金コーティングは、優れた導電性を提供し、高分解能イメージングに不可欠なチャージング効果を低減することにより、SEMでの信号を向上させます。
- 原子間力顕微鏡(AFM)
原子間力顕微鏡(AFM)では、金メッキシリコンウェハがAFMチップの安定したベースとして機能します。その滑らかな表面は正確な力測定を保証し、金層は分析中の干渉を最小限に抑える導電性表面を提供します。
- 走査型プローブ顕微鏡
このウェーハは、さまざまな走査型プローブ顕微鏡(SPM)技術にも使用されています。金表面により、チップとサンプルの相互作用が正確になり、ナノスケールでの表面形状や機械的特性などの測定品質が向上します。
- 細胞培養
その生体適合性から、金メッキシリコンウェハーは細胞培養研究に採用されています。滑らかで化学的に不活性な金表面は、様々な種類の細胞の成長をサポートし、組織工学やその他の生物学的研究用途に理想的です。
Au/CrコートSiO2/Si基板 パッケージング 
当社の製品は、材料の寸法に基づいて様々なサイズのカスタマイズされたカートンに梱包されています。小さな製品はPP箱にしっかりと梱包され、大きな製品は特注の木箱に入れられます。包装のカスタマイズを厳守し、適切な緩衝材を使用して、輸送中に最適な保護を提供します。
梱包クリーンバッグ、シングルまたはマルチチップウェハーボックス、カートン、木箱、またはカスタマイズ。


よくあるご質問
Q1.金メッキシリコンウエハーを使用する利点は何ですか?
金メッキシリコン・ウェーハには、いくつかの主な利点があります:
導電性の向上:金メッキ層は優れた導電性を提供し、ウェハーを電子アプリケーションに理想的なものにします。
耐食性:金は酸化や腐食に対して耐性があり、過酷な環境下でも長期間の性能を保証します。
生体適合性:金の表面は、細胞培養やタンパク質マイクロアレイなどの生物学的および医療用途に適しています。
滑らかな表面:ウェハーの金コーティングは、精密な測定やイメージングに不可欠な滑らかで平坦な表面を提供します。
安定性:クロムの下地層が金層の密着性を高め、長期安定性を確保します。
Q2.なぜ金メッキシリコンウエハーにクロム下地層が使用されるのですか?
通常5nmの厚さのクロム下地層は、シリコンウェーハと金層の密着性を向上させるために使用されます。クロムは金とシリコンの両方と強固な結合を形成し、使用中に金が剥がれたり、はがれたりするのを防ぎます。これにより、特に要求の厳しいアプリケーションにおいて、ウェハーの安定性と耐久性が保証されます。
Q3.金メッキシリコン・ウェーハは再利用可能ですか?
物理的な損傷や汚染がなければ、一般的に再利用可能です。ただし、金表面は特定の化学薬品や乱暴な取り扱いによって影響を受ける可能性があるため、実験に再利用する場合は、ウェハーの取り扱いに注意し、適切な洗浄手順に従う必要があります。
             
            
            
                仕様
                
| 組成 | Au、Cr、SiO2、Si | 
| 薄膜 | Au(111)=50 nm、室温で~50 nm Cr=5 nm SiO2=300 nm Si(100)PタイプBドープ ~525 um プライムグレード | 
| 抵抗率  | <0.005 ohm.cm | 
| 基板サイズ  | 直径4インチ±0.5mm x 0.5mm | 
| 研磨 | 片面研磨 | 
| 表面粗さ | < 10 A RMS | 
*上記の製品情報は理論データに基づくものであり、参考値です。実際の仕様とは異なる場合があります。