生産中止 (生産中止) CY2304 ケイ酸ビスマス(BSO)結晶基板

カタログ番号	CY2304
寸法	20x20x0.5mm、10x10x0.5mm、5x5x0.5mm
素材	Bi12SiO20
カラー	ライトイエロー
成長法	チョクラルスキー法

光学グレードのアンドープCzochralski成長単結晶Bi12GeO20（BGO）とBi12SiO20（BSO）は、結晶ブールの中心核を除く光学的均質性が高く、シャドウグラフ、介在物、気泡などの目に見える縞模様がありません。

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結晶構造	立方晶
格子定数	a=10.146Å
成長方法	Czochralski法
融点	930℃
密度	9.^2g/cm3
モース硬度	4.5モース
誘電率：	εS11/ε0 42.7、εT11/ε0 47.5
弾性剛性係数 (^x1011N/m2) ：	^ce111.33、ce44 0.25
圧電歪定数 (^C/m2) ：	e14 1.01
波長範囲(nm) ：	470~7500
電気光学係数 (x10^-12 M/V)	r41 5
屈折率：	2.45 @ 632.8nm
屈折率勾配 (x10^-5/cm) ：	< 5 @ 632.8nm
光学度 (mm^-1) ：	左 20° ~ @632.8nm
透過率 (%)：	69 @632.8nm
結晶方位：	<100>, <110>, <001> ±0.5°
標準サイズ	45x45x0.5mm、10x10x0.5mm、25x25x0.5mm
研磨	片面研磨、両面研磨

結晶構造：	立方晶
格子定数：	a=10.146Å
成長方法	Czochralski法
融点	930℃
密度	9.^2g/cm3
モース硬度	4.5モース
誘電率：	εS11/ε0 42.7、εT11/ε0 47.5
弾性剛性係数 (^x1011N/m2) ：	^ce111.33、ce44 0.25
圧電歪定数 (^C/m2) ：	e14 1.01
波長範囲(nm) ：	470~7500
電気光学係数 (x10^-12 M/V)	r41 5
屈折率：	2.45 @ 632.8nm
屈折率勾配 (x10^-5/cm) ：	< 5 @ 632.8nm
光学度 (mm^-1) ：	左 20° ~ @632.8nm
透過率 (%)：	69 @632.8nm
結晶方位：	<100>, <110>, <001> ±0.5°
標準サイズ	45x45x0.5mm、10x10x0.5mm、25x25x0.5mm
研磨	片面研磨、両面研磨

生産中止 (生産中止) CY2304 ケイ酸ビスマス(BSO)結晶基板

ケイ酸ビスマス(BSO)結晶基板の説明

ケイ酸ビスマス(BSO)結晶基板の仕様

ケイ酸ビスマス(BSO)結晶基板の用途

ケイ酸ビスマス(BSO)結晶基板のパッケージ

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