アンチモン化インジウムウェハーの説明
インジウムアンチモン(InSb)は、インジウム(In)とアンチモン(Sb)からなる結晶性化合物です。赤外線カメラ、FLIRシステム、赤外線ホーミングミサイル誘導システム、赤外線天文学などの赤外線検出器に使用されるIII-V族の狭ギャップ半導体材料である。アンチモン化インジウム検出器は、波長1~5µmの間で感度を持つ。インジウムアンチモナイドは、機械的にスキャンされた古い単一検出器の赤外線画像システムで非常に一般的な検出器でした。また、強力な光電子放出素子であることから、テラヘルツ放射源としての応用もある。
アンチモン化インジウムウェハーの仕様
|
成長
|
LEC
|
|
直径
|
Ø 2" / Ø 3"
|
|
厚さ
|
500 um - 625 um
|
|
方向
|
(100)+/- 0.5°
|
|
オフ方向
|
2°~10°オフ
|
|
表面
|
片面研磨または両面研磨
|
|
フラットオプション
|
EJまたはSEMI.標準
|
|
移動度
|
(5.0-3.5)E5 cm2/Vs
|
|
EPD
|
<= 200 cm-2
|
|
グレード
|
エピ研磨グレード / メカニカルグレード
|
|
パッケージ
|
枚葉容器
|
インジウムアンチモンウェハーの用途
- 太陽電池
- 集積回路
- トランジスタ
仕様
|
成長
|
LEC
|
|
直径
|
Ø 2" / Ø 3"
|
|
厚さ
|
500 um - 625 um
|
|
方向
|
(100)+/- 0.5°
|
|
オフ方向
|
2°~10°オフ
|
|
表面
|
片面研磨または両面研磨
|
|
フラットオプション
|
EJまたはSEMI.標準
|
|
移動度
|
(5.0-3.5)E5 cm2/Vs
|
|
EPD
|
<= 200 cm-2
|
|
グレード
|
エピ研磨グレード / メカニカルグレード
|
|
パッケージ
|
枚葉容器
|
*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。