局所集束イオンビーム注入による高濃縮28Siシリコン

タイトル	局所集束イオンビーム注入による高濃縮28Siシリコン
著者紹介	ラヴィ・アチャリヤ、マディソン・コーク、メイソン・アドスヘッド、ケクスエ・リー、バラット・アチヌク、蔡栄生、A.バセット・ゴリザデ、ジャネット・ジェイコブス、ジェシカ・L.ボランド、サラ・J.ヘイ、ケイティ・L.ムーア、デイヴィッド・N.ジェイミソン、リチャード・J.カリー
雑誌	通信教材
日付	05/07/2024
土居	10.1038/s43246-024-00498-0
はじめに	ミリケルビン温度のシリコン結晶中の固体スピン量子ビットは、スケーラブルな量子コンピューティングに有望である。天然に存在するシリコンは、29Si同位体の核スピンのために量子ビットのコヒーレンスを制限している。本研究では、45keVの高フルエンス28Si集束イオンビームを用いて、局所的なシリコンウェハー領域の29Siを減少させる方法を紹介する。ナノスケールの二次イオン質量分析計による分析では、29Si濃度が大幅に減少し、残留CとOレベルはインプラントしていないウェハーと同等であることが示された。アニール後の透過型電子顕微鏡では、深さ200nm以上に及ぶアモルファス富化層の固相エピタキシャル再結晶化が確認された。
引用	Ravi Acharya, Maddison Coke and Mason Adshead et al. 局所集束イオンビーム注入による高濃縮 28Si シリコン。Commun Mater.2024.Vol.5(1)。DOI: 10.1038/s43246-024-00498-0