イオンビームエッチングによる高Q超伝導ニオブ共振器の物理的パターニング

タイトル	イオンビームエッチングによる高Q超伝導ニオブ共振器の物理的パターニング
著者紹介	ミゲル・マンゾ＝ペレス、モエイド・ジャマルザデ、マン・グエン、クリストファー・ナドー、アレクサンダー・マデン、イリヤ・シラバンド、キム・キスリンガー、シャオ・トン、カスラ・サルダシュティ、マイケル・セナトーレ、マシュー・ラヘイ、ダブード・シャールジェルディ
雑誌	アプライド・フィジックス・レターズ
日付	09/02/2025
土居	10.1063/5.0278956
はじめに	超伝導量子回路の製造には、化学的に多様な材料や複雑な多層構造が用いられるようになってきている。これらの開発を進めるためには、低ダメージで、材料にとらわれない、幅広い材料に対応するパターニング技術が不可欠である。本研究では、ニオブ共振器をベンチマークとして、低損失超伝導共振器を製造するための反応性イオンエッチングに代わる実行可能な方法として、低エネルギーイオンビームエッチング（IBE）を検討した。IBEによって誘発される表面の再堆積を緩和するために、ターゲットを絞った化学処理を施したin situアルミニウムキャッピング層を導入した。このアプローチにより、50 mKの単一光子領域で6×105に達する内部品質係数を持つ共振器が得られ、IBEが多様な材料プラットフォームにわたる超伝導デバイス作製の有望な技術であることが明らかになった。
引用	Miguel Manzo-Perez, Moeid Jamalzadeh and Man Nguyen et al. イオンビームエッチングによる高Q超伝導ニオブ共振器の物理的パターニング。Applied Physics Letters.2025.Vol.127(9)。doi: 10.1063/5.0278956
エレメント	ニオブ
材料	金属と合金 , 超伝導体