ガリウムテルル(GaTe)結晶の説明
ガリウムテルル(GaTe)結晶は、通常六方格子構造で結晶化する。GaTeは半導体であり、金属と絶縁体の中間の電気伝導性を持ちます。GaTeの電気的および光学的特性は、様々な電子用途に適している。
単結晶単斜晶GaTe(テルル化ガリウム)結晶は、異方性と電子および光学グレードの結晶品質が保証されています。これらの結晶は、ブリッジマン成長、化学気相成長(CVT)、およびフラックスゾーン成長という3つの異なる成長技術を使用して、当社の施設で開発され、結晶粒径を最適化し、欠陥濃度を低減します。
ガリウムテルル(GaTe)結晶の仕様
結晶サイズ
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>1cm以上
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材料特性
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1.65 eV直接半導体
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結晶構造
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単斜晶
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単位胞パラメータ
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a = 0.416 nm, b = 0.934 nm, c = 1.086 nm, α = 106.05 β = 90, γ = 102.8°.
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成長方法
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ブリッジマン成長
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純度
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>99.9999 %
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ガリウムテルル(GaTe)結晶 用途
- オプトエレクトロニクス:GaTeは、光検出器や発光ダイオード(LED)への使用に適している可能性がある。
- 熱電デバイス:GaTeの熱電性能は、熱電発電機または冷却器での使用の可能性に関心があります。
- 半導体デバイス:半導体として、GaTeは、電子回路のトランジスタおよび他のコンポーネントなど、様々な電子デバイスへの応用を見出すことができる。
- 材料研究:GaTeおよび類似化合物は、材料科学における基礎研究の目的で研究されることが多い。
ガリウムテルル(GaTe)結晶 パッケージング
当社のガリウムテルル(GaTe)結晶は、製品の品質を元の状態で維持するため、保管中および輸送中に慎重に取り扱われます。