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カタログ番号 | GE6473 |
素材 | GeTe2 |
外観 | ブラックパウダー |
分子量 | 327.84 |
純度 | 99.99-99.9999% |
ゲルマニウムジテルライド(GeTe2) は、熱電特性と相変化特性を持つ半導体材料で、メモリ記憶デバイス、赤外光学、エネルギー変換アプリケーションに使用されています。
ゲルマニウムジテルライド(GeTe2 )は、熱電特性と相変化特性で知られる半導体材料です。高いゼーベック係数と低い熱伝導率を持ち、熱電エネルギー変換アプリケーションに有用です。GeTe2はまた、高い電気伝導性を示し、非晶質状態と結晶質状態を切り替える能力に依存する相変化メモリ(PCM)技術に使用されるメモリ記憶装置の分野でも重要な材料である。さらに、その光学特性により、赤外光学および赤外線イメージング用途にも適している。GeTe2の電気的、熱的、光学的特性のユニークな組み合わせは、高度なエレクトロニクスやエネルギー効率の高いシステムの材料としても有望です。
公称化学組成 |
GeTe2 |
色/外観 |
黒色粉末 |
分子量 |
327.84 |
純度 |
99.99-99.9999% |
融点 |
189℃ |
1.熱電エネルギー変換:ゼーベック係数が高く、熱伝導率が低いため、熱を電気に変換する効率が高く、熱電発電機や冷却システムに使用される。
2.相変化メモリー(PCM):アモルファス状態と結晶状態を切り替えることができるため、書き換え可能な光ディスクや固体メモリー・デバイスなどの不揮発性メモリー・デバイスの主要材料。
3.赤外線光学:赤外スペクトルでの光学特性により、赤外検出器、熱画像システム、赤外光学に応用される。
4.電子デバイス:電子スイッチングやエネルギー効率の高いシステムなど、先端エレクトロニクスへの応用が検討されている。
5.データストレージ:高密度データストレージ用の光データストレージや相変化記録媒体に使用される。
当社のゲルマニウムジテルライドGeTe2は、製品の品質を元の状態に保つため、保管および輸送中に慎重に取り扱われます。
Q1: ゲルマニウムジテルライド (GeTe2) の主な用途は何ですか?
A1: GeTe2 は、その熱電特性と相変化特性により、主に熱電エネルギー変換、相変化メモリ (PCM)、赤外光学、および先端エレクトロニクスに使用されます。
Q2: ゲルマニウムジテルライドは熱電用途でどのように機能するのですか?
A2: GeTe2はゼーベック係数が高く、熱伝導率が低いため、熱を電気に変換する熱電発電機や冷却システムでの使用に最適です。
Q3: 相変化メモリ(PCM)とは何ですか?
A3: GeTe2 は相変化メモリ技術に使用され、アモルファス状態と結晶状態を切り替えることで、不揮発性メモリデバイスのデータ保存と検索を可能にします。
公称化学 |
GeTe2 |
色/外観 |
黒色粉末 |
分子量 |
327.84 |
純度 |
99.99-99.9999% |
融点 |
189℃ |
*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。
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