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  • CY3458 In2Se3結晶

    • CY3458 In2Se3結晶

    カタログ番号 CY3458
    寸法 6-8mm 長さ、厚さ。0.1-0.4mm
    成長法 フロートゾーン・テクニック
    純度 ＞99.995%

    In2Se3結晶は 、1.41eVのバルク単結晶バンドギャップを持つ半導体です。Stanford Advanced Materials （SAM）は、高品質の光学製品の製造と供給において豊富な経験を有しています。

    関連製品YSGG単結晶、ジスプロシウム単結晶、方解石単結晶

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    VD0554 インジウム（In）蒸着材料
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    VD0694 酸化インジウム亜鉛（IZO）蒸着材料
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    VD0818 硫化インジウム(In2S3)蒸着材料

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