赤外結晶シリコン (Si Crystal) の説明
赤外結晶シリコン(Si Crystal )は、レーザースキャナーミラー、SWIR/MWIRフィルター、赤外センサーウェハーとして使用されます。ロッド、ブランクディスク、研磨/コーティングウィンドウ、レンズ、ウェハーに製造することができます。
赤外結晶シリコン(Si Crystal)の仕様
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材質
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シリコン
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結晶タイプ
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立方体、NaCl型構造
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密度(g/cm3)
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2.3291
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サイズ
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D3.0-300mm、L150mm
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製造方法
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CZ法
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オリエンテーション
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<111> <100> <110>
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グレード
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ミラーグレード、光学グレード、半導体グレード
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透過率範囲
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52.5% @ 3-5um
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屈折率
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3.42 @ 4um
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反射損失
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46.1% @ 10um
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融点
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1414℃
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分子量
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28.09
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硬度(モース)
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1150(モース7)
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ヤング率
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131GPa
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試験項目
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ROHS、透過率曲線、抵抗率、COC、COTなど
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比熱
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703.4J/(kg・K)
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赤外結晶シリコン(Si結晶)用途
レーザースキャナー用ミラー、SWIR/MWIRフィルター、赤外線センサー用ウェハー
赤外結晶シリコン(Si Crystal) パッケージ
赤外結晶シリコン(Si Crystal)は、製品の品質を保つために、保管と輸送の間に注意深く取り扱われます。
仕様
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材質
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シリコン
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結晶タイプ
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立方晶、NaCl型構造
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密度 (g/cm3)
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2.3291
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サイズ
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D3.0-300mm、L150mm
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製造方法
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CZ法
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オリエンテーション
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<111> <100> <110>
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グレード
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ミラーグレード、光学グレード、半導体グレード
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透過率範囲
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52.5% @ 3-5um
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屈折率
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3.42 @ 4um
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反射損失
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46.1% @ 10um
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融点
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1414℃
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分子量
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28.09
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硬度(モース)
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1150(モース7)
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ヤング率
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131GPa
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試験項目
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ROHS、透過率曲線、抵抗率、COC、COTなど
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比熱
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703.4J/(kg-K)
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*上記の製品情報は理論値に基づくもので、参考用です。実際の仕様は異なる場合があります。