サファイアウェハーAl2O3 C面(0001)0.5インチX0.5インチX1.0mm 説明
サファイアウェハーAl2O3 Cプレーン(0001)0.5インチX0.5インチX1.0mmは、結晶方位がCプレーン(0001)の酸化アルミニウム(Al2O3)から製造されています。ウェーハのサイズは0.5インチ×厚さ1.0mmで、標準的な半導体加工装置との互換性を確保しています。その表面平坦性と低欠陥密度は、マイクロエレクトロニクス製造や光学用途におけるプロセスの均一性向上に貢献します。
サファイアウェハー Al2O3 C面(0001) 0.5インチ×0.5インチ×1.0mm 用途
1.エレクトロニクスおよび半導体製造
- 集積回路製造の基板として使用され、制御されたC面配向を利用して平坦な界面を実現する。
- 薄膜蒸着プロセスでは、低欠陥密度による散乱損失の低減に使用される。
2.光電子デバイス
- 高い光学的透明性を利用して光の抽出を強化するため、LED製造の窓として使用される。
- 均一な材料特性を確保することで安定した信号変換を可能にするため、センサー用途によく使用される。
サファイアウェハー Al2O3 C 面 (0001) 0.5 インチ X 0.5 インチ X 1.0 mm 梱包
ウェハーは、汚染や物理的損傷を防ぐため、密封された防湿バリアバッグ内のクッション付き帯電防止トレイに梱包されています。 梱包には、フォームインサートと硬質保護カートンも含まれます。保管ガイドラインでは、材料の特性を維持するため、乾燥した温度管理された環境を推奨しています。ご要望に応じて、ラベル付きコンパートメントや耐振動サポートなどのカスタム包装オプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1: ウェハーの表面平坦度と欠陥密度はどのように検証されますか?
A1: 表面特性は、原子間力顕微鏡(AFM)と走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて定期的に検証されます。これらの評価により、ウェハが半導体プロセスに必要な平坦性と低欠陥の要件を満たしていることを確認しています。
Q2: このサファイアウェーハの推奨保管条件を教えてください。
A2: ウェハーは、吸湿や物理的ストレスを避けるため、温度管理された乾燥した環境で保管する必要があります。ウェハーの構造的完全性を保つため、静電気防止包装と振動のない取り扱いをお勧めします。
Q3: ウェハーの寸法や方向はカスタマイズできますか?
A3: 生産能力に応じて、カスタマイズが可能な場合があります。 ウェハーの寸法や結晶方位に関する具体的なご要望は、実現可能性や材料特性への影響を判断するために、SAMの技術チームにご相談ください。
追加情報
Al2O3から作られるサファイア基板は、その高い熱安定性と化学的不活性から、マイクロエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスの分野で基本的な材料となっています。C面方位は、均一な表面状態が成膜やデバイス性能に不可欠な用途で特に評価されている。
材料科学者は、基板の性能を向上させるために、サファイアの結晶学的特性を頻繁に研究しています。現在進行中の研究は、欠陥密度を減らし、表面品質を向上させることに重点を置いており、その結果、高周波エレクトロニクスから高度なセンサー技術に至るまで、幅広い用途に恩恵をもたらしている。