サファイアウェハーAl2O3 C面(0001)10x10x1 mm 説明
サファイアウェハーAl2O3 C面(0001)10x10x1 mmは、制御された(0001)方位を特徴とする高純度アルミナ基板です。寸法は10x10mm、厚さは1mmで、標準的な半導体装置とよく調和します。化学的に不活性で熱安定性が高いため、デバイス製造工程で効果的に使用できる一方、転位密度が低いため、重要な用途で微小欠陥を最小限に抑えることができます。
サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) 10x10x1 mm 用途
エレクトロニクス
- 集積回路製造の基板として使用され、ウェーハの制御された結晶方位を利用して均一な成膜を実現し、活性層の欠陥密度を低減します。
光学デバイス
- センサーやレーザーアセンブリの光学プラットフォームとして使用され、固有の耐熱性と化学的不活性を利用して安定した光伝送を維持します。
サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) 10x10x1 mm 梱包
各サファイアウェハーは、機械的損傷を防ぐため、低発泡緩衝材を使用した帯電防止容器に個別に固定されています。ウェハは、表面の汚染を最小限に抑え、平坦性を維持するため、清浄で湿度管理された環境で保管されます。パッケージングオプションには、特殊な区分けや湿度インジケーターが含まれ、保管中や輸送中の適切な状態を保証します。
よくある質問
Q1: 基板の結晶方位はどのように確認するのですか?
A1: X線回折(XRD)分析により、製造中の(0001)C面アライメントを確認します。この測定は、定期的な光学的プロファイリングとともに、結晶方位の一貫性を保証し、加工のばらつきを最小限に抑えます。
Q2: どのような保管条件が推奨されますか?
A2: ウェハーは、20℃~25℃の温度で、埃のない湿度管理された環境で保管する必要があります。これらの条件は、表面の完全性を維持し、汚染や熱による欠陥を防ぐのに役立ちます。
Q3: 特定のアプリケーション用にウェハーの寸法をカスタマイズできますか?
A3: 基板の制御された結晶学的特性を維持しながら、技術的な実現可能性に基づいてカスタマイズのオプションを検討することができます。特殊なアプリケーションのための生産修正を評価するには、技術チームとの相談をお勧めします。
追加情報
アルミナ(Al2O3)は、その硬度、電気絶縁性、熱安定性で評価されているセラミック材料です。サファイアの合成形態であるこのウエハーは、均一で欠陥の少ない構造をもたらす制御された結晶成長法の恩恵を受けています。これらの特性は、界面の凹凸を最小限に抑えた耐久性のある基板を必要とする用途において極めて重要です。
構造特性の明確な理解は、半導体および光学工学において不可欠です。制御されたC面配向は、後続の薄膜のアライメントを助け、界面に関連する問題を軽減し、高精度環境におけるデバイス性能の向上をサポートします。