サファイアウエハ Al2O3 Cプレーン (0001) 10x5x0.5 mm 説明
サファイアウェハーAl2O3 C面(0001) 10x5x0.5 mmは、高純度酸化アルミニウム(Al2O3)から製造され、サイズは10mm x 5mm、厚さは0.5mmです。ウエハーのC面(0001)方位はX線回折で確認され、半導体および光学基板用途に必要な結晶学的アライメントを保証します。制御された加工により、表面の欠陥が最小限に抑えられ、研究および生産環境に組み込むための寸法一貫性が維持されます。
サファイアウェハー Al2O3 C面 (0001) 10x5x0.5 mm 用途
1.
エレクトロニクス
- 半導体製造モジュールの基板として使用され、その均一な結晶方位を利用して安定した絶縁性能を実現する。
- マイクロエレクトロニクスデバイスの支持体として使用され、その高い熱安定性を利用して熱変化を緩和する。
2.
フォトニクス
- レーザーシステムのベース基板として使用され、その高い光学的透明性を利用して、制御された光伝搬を実現する。
- 化学的不活性を活かし、干渉効果を低減するために分光デバイスの光学窓として使用される。
サファイアウェーハ Al2O3 C 面 (0001) 10x5x0.5 mm 梱包形態
ウェハは、機械的衝撃と表面汚染を防ぐため、クッション性のある密封可能な容器に収納された静電気のない抗スクラッチキャリアに個別に梱包されています。梱包は、輸送中の湿気や微粒子への暴露に耐えるように設計されています。保管には、低湿度に管理された環境が推奨される。トレーサブルバッチラベルやコンパートメント化を含むカスタムパッケージングオプションは、特定の研究室や生産要件に対応するために利用可能です。
よくある質問
Q1: 結晶方位はどのように確認されますか?
A1: ウェハーのC面(0001)方位は、X線回折分析を用いて確認されます。この分析では、結晶の配列と表面の均一性が定量的に測定されます。この検証プロセスは、半導体製造環境に組み込むために必要なデータを提供します。
Q2: ウェハーの推奨保管条件を教えてください。
A2: 表面汚染を避けるため、静電気防止容器を使用し、クリーンで低湿度の環境で保管することをお勧めします。このような管理された環境は、ウェハーの寸法的完全性と結晶学的特性を長期にわたって維持するのに役立ちます。
Q3: ウェハーの材料組成は、半導体プロセスにどのように役立ちますか?
A3: 高純度の酸化アルミニウム(Al2O3)組成は、熱および化学的ストレスに対する耐性を提供します。このような材料特性の安定性は、高温プロセスにおいて非常に重要であり、基板変形のリスクを低減し、デバイス製造の一貫性を確保します。
追加情報
酸化アルミニウム(Al2O3)は、サファイアウェハーに加工された場合、卓越した化学的安定性、高い熱伝導性、優れた硬度を示します。これらの特性により、サファイア基板はエレクトロニクスとフォトニクスの研究において不可欠な要素となっています。X線回折や表面形状測定などの材料評価法は、結晶構造や表面品質に関する重要な洞察を提供します。
結晶成長と加工技術の進歩により、ウェーハの均一性が向上し、欠陥密度が減少しました。この進歩は、材料科学の広範な研究をサポートし、複雑な半導体および光学システムへのサファイア基板の性能向上と統合を促進します。