サファイア ウエハ Al2O3 平面 (11-20) 10x10x0.5 mm 説明
サファイアウェハーAl2O3 A面(11-20) 10x10x0.5 mmは、酸化アルミニウム(Al2O3)からなる結晶基板です。指定されたA面(11-20)カットは、一貫した結晶方位と滑らかな表面仕上げをもたらします。10x10mmのサイズと0.5mmの厚みは、標準的な加工装置への組み込みを容易にします。その化学的不活性と熱安定性は、電子および光電子デバイス製造における性能を高めます。
サファイアウェハー Al2O3 A面(11-20) 10x10x0.5 mm 用途
エレクトロニクスおよび半導体加工
- 集積回路製造の基板として使用され、ウェーハの一貫した結晶方位を利用して均一な薄膜蒸着を実現する。
- 高周波用途のセンサーデバイスのベースとして使用され、最小限の表面粗さを利用して界面品質を制御します。
オプトエレクトロニクス・デバイス
- LEDやレーザーモジュールの光学プラットフォームとして使用され、材料固有の透明性と熱安定性を利用して光の透過率を高める。
産業および研究用途
- 材料研究の校正標準として使用され、定義された寸法と低欠陥密度を利用して正確な測定結果を確保します。
サファイアウェハー Al2O3 A面(11-20) 10x10x0.5 mm 梱包
各ウェハーは、クッション性のある帯電防止パウチに包まれ、硬質で防湿性のある容器に密封されています。梱包は、輸送中の微粒子汚染を最小限に抑え、機械的衝撃から保護するように設計されています。保管には、管理された低湿度、温度安定の環境が推奨されます。特定の取り扱いプロトコルに対応するため、ご要望に応じて小分け容器やラベル付き容器などのカスタム包装ソリューションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1: A面(11-20)カットはウェハー性能にどのような影響を与えますか?
A1: A面(11-20)カットは、均一な結晶学的表面を提供することで、一貫した薄膜成膜を容易にし、精密なデバイス製造に不可欠な基板特性のばらつきを最小限に抑えます。
Q2: ウェーハの寸法は、プロセス互換性においてどのような役割を果たしますか?
A2: 10x10 mmのサイズと0.5 mmの厚さにより、ウェハは標準的な半導体処理装置に適合するため、デバイス製造時のハンドリングや統合ルーチンの変更の必要性を減らすことができます。
Q3: 製造中の表面欠陥を最小限に抑えるために、どのような対策がとられていますか?
A3: 製造工程では、走査型電子顕微鏡やプロフィロメトリーなどの高度な品質管理手法を取り入れ、表面の均一性を検査・検証することで、微小欠陥の発生を抑えています。
追加情報
サファイア(結晶性Al2O3)は、高い硬度、熱安定性、化学的不活性を有しています。これらの特性は、干渉を最小限に抑え、最適な性能を実現することが重要である電子デバイスや光電子デバイスの製造において、サファイアの基板としての利用を支えています。その明確な結晶方位は、高精度の製造環境において不可欠な要件である正確な成膜を達成するのに役立ちます。
材料科学研究では、サファイア・ウェーハは校正用標準板や新規薄膜技術開発用基板として頻繁に使用されています。そのユニークな機械的・光学的特性により、研究者はベースラインの材料挙動の一貫性を維持しながら、高度なデバイス構造を探求することができます。