サファイアウェハーAl2O3 R面10x10x0.5 mm 説明
サファイアウェハーAl2O3 Rプレーン10x10x0.5mmは、高純度酸化アルミニウム(Al2O3)から製造され、均一な熱放散を容易にし、結晶学的欠陥を最小限に抑えるR面配向を特徴としています。 寸法(10mm x 10mm x 0.5mm)は、半導体処理装置への統合をサポートするために正確に維持されています。その表面仕上げと化学的不活性は、高温および光学用途の安定した基板として適しています。
サファイアウェハー Al2O3 R面 10x10x0.5 mm 用途
エレクトロニクス用途
- LEDや半導体デバイスの基板として使用され、その優れた熱伝導性と低欠陥密度を生かした熱管理強化が達成される。
- RF部品の下地層として使用され、その滑らかな表面トポロジーにより、寸法信頼性を確保し、信号損失を最小限に抑えます。
産業用途
- 高周波回路の絶縁基板として、その化学的不活性と一貫した結晶方位を利用して部品の安定性を確保します。
- 熱膨張を最小限に抑え、構造的に均一であるため、シグナルインテグリティを最適化するセンサーモジュールによく使用されます。
サファイアウェハー Al2O3 R 面 10x10x0.5 mm 梱包
ウェハーは、物理的な損傷や粒子汚染を防ぐため、静電気防止キャリアに個別に梱包され、発泡スチロールで裏打ちされた硬質容器に密封されています。材料の完全性を保つため、湿度を管理した涼しく乾燥した環境での保管を推奨します。特殊な取り扱い要件を満たすため、真空密封包装や特定のラベリングなど、その他のカスタマイズオプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1: R面方位はウエハーの性能にどのような影響を与えますか?
A1: R面方位は、均一な結晶構造を提供し、高温処理中の熱放散を高め、欠陥を最小限に抑えます。この制御された配向により、ウェハは様々な使用条件下でもその構造的・熱的特性を維持することができます。
Q2: 製造中、どのような品質管理が行われていますか?
A2: SAMでは、高度なCVD技術とSEM表面検査を組み合わせて、結晶方位の一貫性を検証し、マイクロスケールの欠陥を検出しています。この厳格な検査プロセスにより、半導体用途に不可欠な寸法精度と高い均一性を実現しています。
Q3: このサファイア・ウェーハは、標準的な半導体プロセスと統合できますか?
A3: はい、10x10x0.5mmの寸法は、標準的な半導体プロセス装置と整合するように定義されています。その化学的不活性と正確な結晶方位は、プロセスを変更することなく、既存の製造ワークフローへの統合を容易にします。
追加情報
Al2O3単結晶から作られるサファイアウェーハは、その優れた熱安定性と絶縁特性により、様々な技術分野で基板として使用されています。光学デバイスや電子デバイスにおけるサファイアの役割は、多くの場合、著しい劣化なしに極端な加工環境に耐える能力と結びついています。結晶方位と欠陥の最小化の相互作用は、性能の一貫性を達成するために非常に重要です。
寸法や表面仕上げパラメータを含むウェーハ仕様を理解することは、研究者やプロセスエンジニアにとって不可欠です。 詳細な材料特性評価により、デバイス製造プロセスの最適化が可能になり、さまざまな産業用途における動作性能の向上に貢献します。