サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) 10x5x1.0 mm 説明
このウェハは、C面(0001)方位が定義された酸化アルミニウム(Al2O3)単結晶から製造されています。寸法は10mm x 5mm、厚さは1.0mmで、最適な平坦性と最小限の表面欠陥を提供します。この構造は半導体デバイス製造に不可欠であり、制御された結晶学的アライメントと化学的不活性はプロセスの安定化と汚染リスクの低減に役立ちます。
サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) 10x5x1.0 mm 用途
エレクトロニクス
- ウェハーの高い熱安定性を利用して効率的な熱管理を実現するため、LEDパッケージの基板として使用。
- パワー半導体デバイスの下地層として使用され、結晶構造が制御されているため、寸法精度を維持することができます。
産業用
- 化学的不活性を活かし、高い測定精度を実現するセンサーモジュールの部品として使用されます。
- 微小電気機械システムのプラットフォームとして使用され、その安定した材料特性により、熱応力下での持続的な性能を保証します。
サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) 10x5x1.0 mm 梱包
ウェハーは、機械的ストレスと表面汚染を最小限に抑えるため、帯電防止、発泡裏地付き容器に個別に梱包されます。 クリーンルーム・グレードの材料で密封され、温度と湿度が管理された条件下で保管されます。基板の完全性を維持するため、傷防止対策と管理された環境下での梱包が実施され、ご要望に応じてカスタマイズも可能です。
よくある質問
Q1: 製造工程では、どのような品質管理が行われていますか。
A1: ウェハーは、SEM検査と光学検査を用いて包括的な表面分析を行い、結晶方位の確認と欠陥の検出を行います。これらの技術により、厚みと平坦度が半導体加工に不可欠な厳格な許容範囲内に保たれていることが保証されます。
Q2: 製造中、ウェーハの寸法はどのように維持されるのですか?
A2: 高精度の切断・研磨工程と干渉計計測を組み合わせることで、寸法が一定に保たれます。これは、半導体製造ラインに組み込むために極めて重要です。
Q3: ウェハーの推奨保管条件を教えてください。
A3: ウェハーは、静電気防止包装内の温度制御された低湿度環境で保管することで、汚染や機械的損傷を最小限に抑え、高温用途での表面の完全性を保つことができます。
追加情報
Al2O3から作られるサファイアウェーハは、その高い融点、化学的不活性、卓越した硬度のために広く研究されています。これらの特性は、半導体加工やLED製造など、厳しい環境下で安定した性能を必要とする用途に適しています。
材料科学の現在進行中の研究は、サファイア基板の欠陥密度を低減し、表面の均一性を高めることに重点を置いています。 精密切断と計測の進歩により、生産者はウェーハの特性を調整することができるようになり、その結果、最新のマイクロエレクトロニクスや産業用センサー・アプリケーションの厳しい要求を満たす基板を製造することができるようになりました。