サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) 10x10x0.1 mm 説明
本製品はAl2O3から作られたウェハーで、正確なC面(0001)配向、寸法10x10mm、厚さ0.1mmを特徴としています。制御された結晶学的配列により、表面欠陥密度を最小限に抑え、半導体プロセスや分析用途に不可欠な均一な平坦性を実現します。その組成と構造の規則性は、様々な薄膜蒸着やマイクロエレクトロニクス製造プロセスのための安定したプラットフォームを提供します。
サファイアウェハー Al2O3 C面 (0001) 10x10x0.1 mm 用途
1.
エレクトロニクスおよび半導体プロセス
- 半導体デバイスのエピタキシャル成長において、平滑なC面を利用して均一な成膜を実現するための基板として使用される。
- マイクロエレクトロニクス回路の絶縁プラットフォームとして使用され、その高い化学純度と安定した結晶性を利用して誘電体干渉を最小限に抑えます。
2.
産業用センサーおよび光学システム
- 優れた表面平坦性を生かし、光透過特性を検証する光学センサーのテストベースとして使用される。
- 精密光学機器の校正標準として頻繁に使用され、その制御された厚みと組成の恩恵を受けて正確な測定を実現する。
サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) 10x10x0.1 mm 梱包
ウェハーは、輸送中の機械的損傷を軽減するため、静電気防止筐体に個別に梱包され、発泡スチロールで裏打ちされた箱の中に固定されています。各ユニットは、汚染や酸化を防ぐために防湿袋に密封されています。包装は、アプリケーションの準備が整うまで、ウェハーの寸法公差と表面品質を維持し、制御された環境を維持するように設計されています。ご要望に応じて、カスタムラベルやコンパートメント包装も承ります。
よくある質問
Q1: (0001)結晶方位はどのように確認されますか?
A1: 結晶方位は、高分解能X線回折と電子後方散乱回折を用いて確認されます。これらの技術は、アライメントを正確に測定し、ウェハが要求される平坦度と欠陥密度の仕様を満たしていることを保証します。
Q2: 処理前にはどのような洗浄や取り扱いが推奨されますか?
A2: ウェハーを高純度溶剤でリンスした後、純水で洗浄し、ろ過した窒素で乾燥させることをお勧めします。パーティクル汚染を避け、表面の完全性を保つためには、クリーンルーム用の手袋と工具を使用して取り扱うことが不可欠です。
Q3: 製造中、寸法の一貫性はどのように維持されますか?
A3: 寸法一貫性は、インライン光学検査とマイクロメーターベースの測定によってモニターされます。このプロセスにより、各ウェハーが半導体加工アプリケーションに必要な10x10 mmのサイズと0.1 mmの厚さの公差に適合していることが保証されます。
追加情報
酸化アルミニウムから成るサファイアウェハは、化学的不活性と熱安定性により、マイクロエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスのアプリケーションで広く使用されています。Al2O3固有の特性と精密に制御されたC面配向の組み合わせは、研究および工業的な製造プロセスにおいて信頼性の高いプラットフォームを提供します。
サファイア基板の物理的および化学的挙動を理解することは、材料科学者がデバイス性能を最適化するのに役立ちます。 X線回折や電子顕微鏡などの分析法は、微細構造に関する洞察を提供し、高精度環境における性能の正確な予測を可能にします。