サファイアウェハー Al2O3 A面(11-20) Dia.2 インチ x 0.5 mm 説明
サファイアウェハー Al2O3 Aプレーン (11-20) Dia.2インチ x 0.5mmはAl2O3から製造され、マイクロエレクトロニクスとフォトニクスにおけるプロセス制御の強化をサポートする正確な(11-20)配向を特徴としています。直径2インチは標準的な加工装置との互換性を確保し、厚さ0.5mmはその後の加工工程での反りを最小限に抑えます。このウェハは、高感度アプリケーション向けに、寸法の均一性と表面の完全性を実現するように設計されています。
サファイアウェーハ Al2O3 A面(11-20) Dia.2 インチ x 0.5 mm 用途
エレクトロニクスおよび半導体用途
- 結晶方位を制御して均一な誘電特性を実現するため、集積回路の基板として使用。
- パワーデバイスでは、熱伝導性と表面品質の向上により、寄生電流を最小限に抑えます。
光学デバイス
- LEDやレーザーモジュールのベースとして頻繁に使用され、固有の透明性を利用して光学的透明性と熱安定性を確保します。
産業機器
- 精密測定システムのセンサープラットフォームとして使用され、その堅牢な機械的特性を活用することで、熱サイクル下での構造的完全性を維持します。
サファイアウェハー Al2O3 A面(11-20) Dia.2 インチ x 0.5 mm 梱包
ウェハは、クッションフォームと汚染防止層を備えた静電散逸性キャリアに梱包されます。ウェハは、管理された環境の袋に密封され、機械的ストレスから保護するために堅い支持フレームに配置されます。完全性を維持するために、清潔で乾燥した温度管理された施設での保管が推奨される。特定の取り扱いおよびロジスティクスの要件に基づき、カスタムパッケージングオプションをご利用いただけます。
よくある質問
Q1: (11-20)結晶方位は加工結果にどのような影響を与えますか?
A1: (11-20)方位は、均一な結晶学的平面を提供し、一貫したエッチング速度を容易にし、転位密度を最小限に抑えます。これは、半導体やオプトエレクトロニクスのアプリケーションに不可欠な、デバイス製造時のプロセス再現性の向上に貢献します。
Q2: ウェーハの品質管理には、どのような検査方法が用いられますか?
A2: 製造工程では、干渉計、表面形状測定、原子間力顕微鏡を使用して、平坦度をモニターし、表面の凹凸を検出します。これらの技術により、厚みと欠陥密度が製造期間中、厳格な許容範囲内に保たれていることを確認しています。
Q3: このウェーハは、高温を伴うプロセスに組み込むことができますか?
A3: はい、Al2O3は優れた熱安定性を示します。制御された0.5mmの厚さと高純度組成により、ウェハは高温条件下でも機械的および光学的特性を維持します。
追加情報
酸化アルミニウムで作られたサファイアウェーハは、その硬度、熱伝導性、化学的不活性が認められています。これらの特徴により、半導体製造や光学デバイス製造において重宝されています。サファイア結晶の特性を詳細に理解することは、エンジニアがデバイスの性能を最適化し、それに応じて処理パラメーターを調整するのに役立ちます。
材料科学の研究において、結晶方位の研究は、高度なアプリケーション用の基板を設計する際に重要な異方性特性に関する洞察を提供します。サファイアウェーハの制御された微細構造は、欠陥を最小限に抑え、高精度環境での性能向上をサポートします。