サファイアウェハー Al2O3 (0001) Dia.3 インチ x 0.43 mm 説明
サファイアウェハー Al2O3 (0001) Dia.3 inch x 0.43 mmは、(0001)方位の酸化アルミニウム(Al2O3)単結晶から形成された基板です。直径3インチ、厚さ0.43mmは、半導体やオプトエレクトロニクスの製造工程に組み込むための標準サイズを提供します。このウェハは、エピタキシャル層堆積中の欠陥伝播を低減するのに役立つ原子レベルで滑らかな表面を示す。その化学的不活性と熱安定性は、持続的な動作性能を必要とする環境での使用をサポートします。
サファイアウェハー Al2O3 (0001) Dia.3 インチ x 0.43 mm 用途
1.エレクトロニクス
- LED製造の基板として使用し、ウェーハの原子レベルで平坦な表面を利用して、一貫したエピタキシャル層を実現する。
- 半導体デバイスのバッファ層として使用し、化学的不活性を利用して欠陥密度を低減する。
2.オプトエレクトロニクス
- レーザーダイオードアセンブリのベースとして使用され、その制御された(0001)配向を利用して、光学的均一性の向上を達成する。
- 高周波回路の実装プラットフォームとして使用され、その高い熱安定性を利用して信号損失を軽減する。
サファイアウェハー Al2O3 (0001) Dia.3 インチ x 0.43 mm 梱包
ウェハーは、静電放電ホルダーに梱包され、機械的損傷を防ぐため、クッション性のある傷防止容器に固定されます。 汚染を避けるため、湿気バリアのある温度管理された環境で保管されます。輸送中および保管中の基板の完全性を維持するため、ご要望に応じて、ラベル付けや区分けを追加したカスタマイズ包装も可能です。
よくある質問
Q1: 熱処理工程はウェハーにどのような影響を与えますか?
A1: 熱処理は、熱ストレスを最小限に抑えるよう制御された条件下で行われます。ウェハー固有の熱安定性により、標準的なアニール工程における構造変化を最小限に抑え、その後のデバイス製造に必要な表面形態と結晶品質を維持します。
Q2: ウェハー洗浄の際には、どのような取り扱い上の注意が必要ですか?
A2: クリーンルーム環境で非研磨性の洗浄技術を使用することをお勧めします。基板表面の完全性を維持し、欠陥の混入を防ぐため、超高純度溶剤とリントフリー素材を使用し、機械的ストレスや汚染を避けてください。
Q3: ウェハーの寸法や表面処理にカスタマイズは可能ですか?
A3: 特注寸法や表面処理にも対応可能です。代替厚みや後工程の表面処理などの具体的なご要望は、工業プロセスにおける特定の統合要件に合わせて、ケースバイケースで評価されます。
追加情報
酸化アルミニウム(Al2O3)は、硬度、耐薬品性、高融点で知られる基本的なセラミック材料であり、さまざまな高性能用途に適しています。一般にサファイアとして知られるその単結晶は、優れた光学特性と絶縁特性が不可欠な分野で重要な役割を果たしています。
サファイアウエハーの開発と加工には、厳格な品質管理と高度な蒸着法が必要です。これらのプロセスは、半導体デバイス、オプトエレクトロニクス、その他の産業分野での用途に重要な、低欠陥密度と強化された表面特性を保証します。