サファイアウェハー Al2O3 (0001) Dia.2 インチ x 0.5 mm 説明
サファイアウェハー Al2O3 (0001) Dia.2 inch x 0.5 mmは、(0001)方位に制御された単結晶アルミナウェハーです。直径2インチ、厚さ0.5mmのため、標準的な半導体加工装置との互換性があります。原子レベルで平坦な表面と低い欠陥密度は、高精度のエピタキシャル成膜をサポートします。基板の組成(Al2O3)は、優れた耐薬品性と熱安定性を提供し、高度な光学および電子デバイスの製造に適しています。
サファイアウェハー Al2O3 (0001) Dia.2インチ x 0.5 mm 用途
エレクトロニクス
- 半導体デバイスの基板として使用され、ウェーハの制御された(0001)結晶方位を利用して均一なエピタキシャル層成長を実現します。
- LEDの製造に使用され、原子レベルで平滑な表面により高品質な成膜をサポートします。
工業用
- Al2O3の耐薬品性と耐熱性を生かし、性能の安定性を維持するため、高温センサーの誘電体バリアとして利用。
- 光学デバイスの精密基板として使用され、低欠陥密度による安定した光透過特性を確保します。
サファイアウェハー Al2O3 (0001) Dia.2 インチ x 0.5 mm 梱包
ウェハーは、クリーンルーム仕様の帯電防止キャリアに個々に固定され、機械的損傷を防ぐために発泡インサートでクッションされています。その後、湿気や微粒子による汚染を最小限に抑えるため、不活性雰囲気のパウチに封入されます。包装工程には、傷防止ライナーとトレーサビリティ用のラベルが組み込まれています。管理された温度・湿度条件下での保管を推奨しますが、特定の取り扱い要件に対応するカスタマイズ・オプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1: SAMは、サファイアウェーハの欠陥密度をどのように管理していますか?
A1: SAMは、走査型電子顕微鏡や原子間力顕微鏡を含む定量的表面計測技術を採用し、欠陥密度を監視・管理しています。これにより、先端半導体アプリケーションにおける高精度エピタキシャルプロセスに要求される厳密な平坦性と均一性を維持することができます。
Q2: (0001)方位を達成するために、製造工程ではどのような対策がとられていますか?
A2: 製造工程では、高純度アルミナを用いて結晶成長を制御し、厳密な配向調整を行います。特殊な熱処理とインラインでのX線回折測定により、最終ウェハが信頼性の高いデバイス集積に必要な(0001)方位を一貫して示すことを保証します。
Q3: ウェハーの推奨保管条件を教えてください。
A3: ウェハーは、湿度の低い清潔な温度管理された環境で、理想的には静電気防止容器に入れて保管する必要があります。こうすることで、湿気や汚染物質への暴露を最小限に抑えることができ、その後の加工時に表面の完全性や性能を損なう可能性がなくなります。
追加情報
アルミナ(Al2O3)は、その熱安定性と化学的不活性により、材料科学において広く認知されており、サファイアウェーハは、多くの電子および光学製造プロセスにおいて不可欠なコンポーネントとなっています。制御された(0001)方位は、表面特性を最適化するだけでなく、最新のデバイス製造に不可欠な薄膜蒸着技術との適合性を高める。
これらの基板における結晶方位と表面仕上げの厳密な制御は、高性能アプリケーションの進歩の中心であり、加工条件と材料特性の相互作用を理解することは、半導体技術やその他の高温加工環境における技術革新の推進に役立ちます。