サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) Dia.1インチ x 0.5 mm 説明
このウェハは、C面(0001)配向のサファイア(Al2O3)から製造され、直径1インチ、厚さ0.5mmで測定されます。その構造は、低欠陥密度と均一な表面品質をサポートし、半導体、光学、高温用途に適しています。正確な結晶学的配列は、エピタキシャル成長や高周波デバイス製造などのプロセスにとって極めて重要な、材料の一貫性を高めます。
サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) Dia.1 インチ x 0.5 mm 用途
エレクトロニクスおよび半導体用途
- RFデバイスの絶縁基板として使用し、サファイアの高い絶縁耐力を利用して寄生容量の低減を実現。
- 半導体製造におけるエピタキシャル層成膜のベースとして使用し、ウェーハの結晶方位を利用して均一な膜成長を実現する。
産業および光学用途
- 材料の光学的透明性と均一性を利用して高い光透過率を達成するために、画像システムの部品として使用される。
- LEDやレーザーダイオードの支持基板として使用され、サファイアの優れた熱伝導性を利用して熱管理を改善します。
サファイアウェハー Al2O3 Cプレーン (0001) Dia.1 インチ x 0.5 mm 梱包
ウェハーは、コンタミネーションや機械的損傷を防ぐため、静電気防止クッション付き容器に個別に固定されています。梱包には、発泡スチロールで裏打ちされ、防湿フィルムで密封された硬質キャリアボックスが含まれます。保管は、温度管理された乾燥環境で、静電気防止対策を施してください。特定の保管および輸送要件を満たすため、ラベル付けや区分けを含むカスタム包装オプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1: 指定されたウェーハ厚みは、半導体プロセスへの適用にどのように影響しますか?
A1: 厚さ0.5mmは、標準的な半導体プロセス装置との互換性を確保し、高温動作時の効果的な放熱と機械的支持を可能にします。また、この厚みはウェーハの剛性にも貢献し、加工中の反りを最小限に抑えることができます。
Q2: ウェーハの表面品質はどのような方法で評価されますか?
A2: 表面品質は通常、光学検査と表面粗さ測定で評価されます。これらの方法では、微細な欠陥が検出され、ウェハが高精度製造のアプリケーションに必要な仕様を満たしていることが確認されます。
Q3: 加工中のサファイア・ウェーハの取り扱いに関する主な注意事項は何ですか?
A3: 取り扱い上の注意事項には、研磨剤を含まない工具の使用、帯電防止手順の遵守、管理されたクリーンな環境でのウェハーの保管が含まれます。これらのステップにより、製造および輸送中の表面損傷や汚染のリスクを最小限に抑えることができます。
追加情報
結晶性Al2O3からなるサファイアウェーハは、高い熱安定性と耐薬品性が要求される環境において基本的な材料です。結晶方位が明確であるため、エピタキシャル成長時の格子不整合が最小限に抑えられ、半導体デバイスの性能にとって極めて重要です。研磨と基板調製の進歩は、電子産業と光学産業の両方におけるサファイアの有用性をさらに高めている。
これらの用途におけるサファイアの利用は、高温や腐食性環境などの極端な使用条件に耐えるその能力に起因している。このため、サファイアは、オプトエレクトロニクスやパワーエレクトロニクスなど、材料の安定性がデバイスの性能に不可欠な分野の研究開発にとって重要な材料となっている。