サファイアウェハー Al2O3 Mプレーン Dia.1インチ x 0.5 mm 説明
高純度Al2O3からなるこの基板は、正確なMプレーン配向が特徴です。直径1インチ、厚さ0.5mmで、標準的な半導体製造ツールとの互換性に優れています。化学的に不活性なサファイアの性質は、酸化や熱応力に対する耐性を提供し、電子ウエハープロセシングや研究装置プロトタイピングの用途に理想的です。
サファイアウェハー Al2O3 Mプレーン Dia.1 インチ x 0.5 mm 用途
1.エレクトロニクス
- アルミナの化学的不活性を利用して効果的な絶縁を実現するため、高周波回路アセンブリの基板として使用される。
- センサーアレイの基材として使用され、均一な表面と制御された寸法公差により、安定した電気性能をサポートする。
2.産業用
- 正確な形状と表面の一貫性を生かし、均一な薄膜成膜を容易にするため、半導体プロセスのキャリアウェハーとして利用。
3.研究
- よく特性化されたAl2O3テンプレートを提供することで、様々な熱条件下での結晶挙動を分析する材料科学研究のテストプラットフォームとして機能。
サファイアウェハー Al2O3 Mプレーン Dia.1 インチ x 0.5 mm 梱包
ウェハーは、輸送中の機械的ストレスを最小限に抑えるため、静電気防止パッケージに個々に密封され、発泡スチロールでクッションされています。湿気や微粒子への暴露を減らすため、温度管理された容器に保管されます。パッケージには、コンタミネーションに対するバリアと、特定の取り扱いニーズに基づいたラベル付けや区分けなどのカスタマイズのためのオプションが含まれています。
よくある質問
Q1: ウェハーの寸法精度をモニターするために、どのような品質管理方法が適用されますか?
A1: 製造工程では、直径と厚さを厳密な許容範囲内で検証する光干渉試験と形状測定試験が行われ、ウェハが半導体や研究用途の正確な仕様に適合していることを保証します。
Q2: Mプレーンの方位は、デバイスへの統合にどのような影響を与えますか?
A2: Mプレーン配向は、基板の均一性に依存するデバイスにとって重要な異方性熱・電気特性に影響します。 これは、高性能電子アセンブリにとって重要な熱伝導率や誘電率などのパラメータに影響します。
Q3: ウェハーの完全性を保つために、どのような保管条件が推奨されますか?
A3: ウェハーは、湿度の低い清潔な温度管理された環境で保管する必要があります。帯電防止と緩衝材入りのパッケージは、機械的な損傷や汚染を防ぎ、基板の表面品質を維持します。
追加情報
サファイア(α-アルミナ(Al2O3))は、その高い硬度、熱安定性、化学的不活性が評価されています。これらの特性により、耐久性があり安定した基板を必要とする用途で好まれています。また、その結晶構造は、精密デバイス製造において重要な熱的・光学的特性にも有利に働く。
サファイア基板における結晶方位の役割を理解することは不可欠である。M面方位は異方性特性を変化させ、熱膨張や誘電挙動に影響を与えます。この知識は、寸法および表面品質規格の遵守が極めて重要な半導体プロセスにこれらのウェハーを組み込む際に重要である。