サファイアウエハ Al2O3 Rプレーン 100 mm Dia x 0.46 mm 説明
サファイアウェハーAl2O3 R Plane 100 mm Dia x 0.46 mmは、高純度Al2O3から作られ、特定のR平面カットが施されており、制御された結晶方位を提供します。直径100mm、厚さ0.46mmの寸法は、標準的な半導体および光学製造装置との互換性を保証します。この材料は化学的不活性と機械的硬度を持ち、耐久性と表面汚染の最小化が重要な用途に適しています。
サファイアウェハー Al2O3 Rプレーン 100 mm Dia x 0.46 mm アプリケーション
1.
エレクトロニクス
- マイクロエレクトロニクス回路の絶縁基板として使用され、サファイアの高い熱伝導性を利用して効率的な熱管理を実現する。
- 高周波部品の誘電体層として使用し、安定した電気特性により信号干渉を最小限に抑える。
2.
光学システム
- サファイアの優れた透過特性を利用し、透明性と耐久性を維持するため、高温または化学的に侵食性の高い環境で光学窓として機能する。
- レーザー光学部品では、繊細な部品の保護カバーとして頻繁に使用され、傷や化学エッチングに対する耐性を提供します。
サファイアウェハー Al2O3 Rプレーン 100 mm Dia x 0.46 mm Packing
ウェハーは、機械的衝撃や表面汚染を最小限に抑えるため、静電気防止用の発泡裏地付きキャリアに個別に梱包されています。クリーンルーム条件下で、無塵、温度制御された容器に保管されます。特定の処理および取り扱い要件を満たすために、詳細なラベリングおよびカスタム区画オプションが利用可能です。このパッケージは、出荷時および長期保管時にウェハーを保護するように設計されています。
よくある質問
Q1: このウェハーでは、通常どのような表面品質測定が行われますか?
A1: 表面品質は、平坦度と粗さを評価するために、干渉計と原子間力顕微鏡を使って評価されます。これらの測定は、散乱を最小限に抑え、欠陥のない表面を必要とするアプリケーションへのウェハの適合性を決定するのに役立ちます。
Q2: R面方位は、半導体アプリケーションのプロセスにどのような影響を与えますか?
A2: R面方位は、ユニークなエッチング特性を提供し、デバイス製造中の転位ダイナミクスに影響を与えます。この制御された配向は、半導体製造における成膜の均一性とプロセスの再現性の向上につながります。
Q3: ウェハーの完全性を維持するために、どのような保管条件が推奨されますか?
A3: ウェハーは、汚染や材料劣化を防ぐため、湿度調整された清潔な温度管理環境で保管する必要があります。 また、表面に微粒子が堆積するのを防ぐため、帯電防止対策もお勧めします。
追加情報
サファイア(単結晶酸化アルミニウム)は、その高い機械的強度、熱伝導性、化学的不活性などの明確な特性により、電子および光学産業で広く使用されています。その単結晶の性質は、基板開発や保護部品など、材料特性の精密な制御を必要とする用途において安定した性能を発揮します。
材料科学の研究は、高度なデバイス製造や高性能光学システムに不可欠なサファイアの表面相互作用や欠陥管理に関する理解を深め続けています。