サファイアAl2O3(0001)上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート 10x10 mmx1000 nm 説明
この基板は、(0001)方位のサファイア(Al2O3)ベース上にエピタキシャル成長した窒化アルミニウム層を備えています。10x10mmの寸法は、標準的な半導体加工装置との互換性を確保する一方、1000nmの膜厚は、誘電体性能と熱管理に重要な役割を果たします。この膜のアンドープ性は不純物干渉を最小限に抑え、高周波回路や電子部品製造での使用を最適化します。
サファイアAl2O3(0001)上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート 10x10 mmx1000 nm 用途
エレクトロニクス用途
- RF回路の絶縁層として使用され、フィルムの制御された結晶配向を利用して寄生容量の低減を実現する。
- パワーエレクトロニクスの誘電体バリアとして使用し、高い熱伝導率を利用して熱ストレスを緩和する。
産業用途
- センサーモジュールの基板部品として使用され、その均一な膜形態を利用して安定した信号出力を確保する。
- 高温プロセス監視システムにおいて、その化学的不活性を利用して電気的絶縁を維持するために使用される。
サファイアAl2O3(0001)上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート 10x10 mmx1000 nmのパッケージング
基板は静電放電キャリアに梱包され、機械的衝撃を緩和するために発泡インサートで緩衝されている。輸送中の汚染を防ぐため、防湿袋で密封されている。材料の完全性を維持するため、清潔で温度管理された環境での保管を推奨します。ご要望に応じて、汚染防止や緩衝材を追加したカスタム包装も承ります。
よくある質問
Q1: エピタキシャル成膜は、基板の性能にどのような影響を与えますか?
A1: エピタキシャル成長は、半導体デバイスに不可欠な誘電一貫性と熱伝導性を高める均一な結晶構造を確立します。この制御された成長により、欠陥密度が最小限に抑えられ、他の電子部品との精密な統合が容易になります。
Q2: この基板にはどのような特別な取り扱いが必要ですか?
A2: この基板は、静電気防止対策を施したクリーンルーム環境で取り扱う必要があります。AlN膜の劣化を防ぎ、サファイアベースの完全性を維持するため、温度と湿度を管理した状態で保管する必要があります。
Q3: 基板は後加工できますか?
A3: はい、薄膜化、研磨、パターニングなど、特定のデバイス統合のために蒸着後に基板をカスタマイズすることができます。これらの加工は、材料固有の特性を維持するため、厳格なクリーンルーム・プロトコルの下で行われます。
追加情報
窒化アルミニウム(AlN)セラミック基板は、高い熱伝導性と電気絶縁性を必要とする用途に広く使用されています。AlN膜のドープされていない性質は、不純物散乱を最小限に抑え、これは高出力・高周波条件下で一貫した材料挙動を達成する上で極めて重要です。
サファイア(Al2O3)上のAlNの統合は、窒化アルミニウムの熱管理特性と、サファイアが提供する滑らかで安定した表面を組み合わせたものです。この組み合わせは、特に効率的なデバイス性能のために低欠陥密度と高い構造的完全性が要求される分野において、高度な半導体プロセスをサポートします。