2インチシリコン(Si <111> Nタイプ)上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート 2インチ x 500 nmの説明
2インチシリコン(Si <111>方位)基板上のアンドープ窒化アルミニウム(AlN)は、500nmの正確な膜厚が特徴です。 この基板は、制御された結晶学的特性と低欠陥密度を維持し、標準的な半導体デバイス製造をサポートします。その化学的不活性と熱伝導性は、高温処理中のデバイスの安定性に寄与する。定義された層厚により、基板全体の均一性が確保され、電子システムへの一貫した統合が可能になります。
2インチシリコン(Si <111> Nタイプ)上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート 2インチ x 500 nm 用途
1.エレクトロニクス用途
- AlN膜の低誘電損失を利用して低寄生容量を実現するため、RF回路の絶縁層として使用。
- 半導体デバイスのパッシベーション層として、膜厚が均一で結晶性が制御されていることを利用し、リーク電流を低減する。
2.産業用途
- パワーエレクトロニクスのサーマルマネージメント素子として、AlN膜の高い熱伝導性を利用して放熱する。
- MEMS製造における基板ベースとして、精密な成膜制御を生かした寸法安定性を確保するために使用される。
2インチシリコン(Si <111> Nタイプ)上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート 2インチ x 500 nm梱包
基板は、機械的保護とコンタミネーションコントロールを提供するために、帯電防止、発泡裏地付き容器に梱包されています。密封されたプラスチックパウチが湿気や粒子状物質から保護します。梱包は、保管中に安定した温度環境を維持するように設計されています。 特定の取り扱いおよび出荷要件に合わせて、真空密閉ユニットや追加の緩衝材などのカスタマイズされた梱包オプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1: 500 nmのAlN膜は、デバイスの性能にどのような影響を与えますか?
A1: 500 nmのAlN膜は、低欠陥密度で制御された誘電体層を提供し、高周波回路における寄生効果を最小限に抑えます。この均一な層は、基板全体で一貫した電気的および熱的特性を保証することにより、半導体製造における精密な集積化をサポートします。
Q2: この基板はどのような保管条件を推奨しますか?
A2: AlN膜を湿気や微粒子汚染から保護するため、基板は温度管理された低湿度の環境で保管する必要があります。帯電防止やクッション性のある梱包材を使用することで、機械的損傷を防ぎ、長期にわたってフィルムの完全性を維持することができます。
Q3: 基板は標準的なシリコン加工装置と互換性がありますか?
A3: はい、2インチのシリコンベースと制御されたAlN層は、通常の半導体製造プロセスと統合できるように設計されています。明確に定義された膜厚と結晶方位により、確立されたデバイス製造プロトコルと互換性があります。
追加情報
窒化アルミニウムをベースとするようなセラミック基板は、熱管理と電気絶縁が不可欠なアプリケーションにおいて重要です。熱伝導性や誘電性能を含む窒化アルミニウム固有の特性は、電子パッケージングやパワーデバイスの用途に適しています。
シリコン上にAlN膜を形成することで、シリコンの機械的特性とAlNの電気的特性のバランスをとることができます。この組み合わせは、寸法安定性とプロセス互換性を維持しながら、放熱とデバイスの小型化という課題に対処することで、半導体プロセスの進歩をサポートします。