サファイア Al2O3 (0001)上の片面研磨窒化アルミニウムテンプレート 4インチ x 0.5 mm AlNフィルム 1000 nm 説明
この基板は、厚さ1000nmの窒化アルミニウム膜とサファイア(Al2O3)ベースを組み合わせたもので、半導体プロセス用に高い平坦性と滑らかな表面を提供します。片面研磨技術により、表面粗さを最小限に抑え、均一性を高めています。このテンプレートは4インチ×0.5mmの寸法で、デバイス製造への信頼性の高い統合をサポートし、ハイパワーアプリケーションにおける正確なリソグラフィーアライメントと効率的な熱管理を容易にします。
サファイア Al2O3 (0001) 片面研磨窒化アルミニウムテンプレート 4インチ x 0.5 mm AlNフィルム 1000 nm アプリケーション
1.エレクトロニクス
- サファイアの高い熱伝導性を利用して熱放散を管理するため、パワーエレクトロニクス機器のアクティブ基板として使用。
- 無線周波数コンポーネントのベースとして使用され、均一なAlN膜によりシグナルインテグリティを向上させる。
2.産業用
- センサーアセンブリの機能層として使用され、基板の平滑で欠陥の少ない表面を利用して感度の向上を実現する。
- 高分解能パターニングのために寸法安定性が不可欠な精密加工ツールによく使用される。
サファイアAl2O3(0001)上の片面研磨窒化アルミニウムテンプレート 4インチ×0.5 mm AlNフィルム 1000 nm梱包
基板は、機械的損傷を防ぐため、保護カバー付きの帯電防止発泡裏地付き容器に梱包されています。表面の完全性を維持し、粒子汚染を最小限に抑えるため、防湿包装で密封されています。管理された室温条件下での保管を推奨。特定の取り扱いプロトコルに準拠するため、コンパートメント化されたインサートやラベル付けを含むカスタムパッケージングオプションをご利用いただけます。
よくある質問
Q1: 片面研磨仕上げは、半導体プロセスにおける基板の統合にどのような影響を与えますか?
A1: 研磨表面は、表面粗さを低減し、リソグラフィー精度を高め、膜の密着性を向上させます。この均一性は、その後の加工工程で欠陥を最小限に抑えるために極めて重要です。
Q2: サファイア基板は熱管理でどのような役割を果たしますか?
A2: サファイア(Al2O3)は熱伝導率が高く、デバイス動作中の放熱を助けます。この特性は、熱安定性が重要なハイパワーエレクトロニクスにおいて特に有益です。
Q3: デバイス製造の前に、どのような洗浄プロトコルが推奨されますか?
A3: 膜の完全性を損なうことなく汚染物質を除去するには、RCA洗浄後に脱イオン水でリンスするといった標準的な洗浄をお勧めします。このプロセスにより、集積化中に基板がその特性を維持できるようになります。
追加情報
窒化アルミニウム(AlN)セラミックスは、その優れた熱伝導性と電気絶縁性により、高性能アプリケーションで評価されています。サファイア上にAlN膜を一体化することで、基板の機械的性能と熱的性能の両方が向上し、半導体やセンサー用途に適しています。
成膜と研磨技術の進歩により、AlN膜の一貫性と均一性が向上しました。これらの改善は、膜の均一性がデバイスの性能、信頼性、複雑な製造工程における集積効率に大きく影響する精密用途にとって極めて重要です。