2インチシリコン上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート インチ×200 nmの説明
この材料は窒化アルミニウムとシリコンからなり、半導体アプリケーション用の専用基板を形成します。2インチ×2インチのサイズは、標準的な加工装置との互換性を保証します。200nmの膜厚は、熱勾配と電気絶縁を管理する上で極めて重要な役割を果たします。定義されたAlN/Si界面は、制御された誘電特性と最小化された欠陥密度を必要とするデバイスへの統合をサポートします。
2インチシリコン上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート x 200 nm用途
1.エレクトロニクス用途
- 半導体デバイスの誘電体層として使用され、制御されたAlN膜特性を活用することで、電気絶縁性の向上を実現します。
- センサーアレイの基板として使用することで、明確な結晶配列による安定した信号レベルを得ることができます。
2.産業用途
- セラミック材料の熱伝導性を利用して熱不整合を最小化するため、高温環境下で集積回路のベースとして使用される。
- AlNとシリコンの間のシャープな界面を利用してリーク電流を低減するため、マイクロエレクトロニクス・パッケージングに頻繁に使用される。
2インチシリコンインチ×200 nmパッケージ上のアンドープ窒化アルミニウムAlNテンプレート
基板は、機械的ストレスと汚染を避けるため、帯電防止、発泡裏地付き容器に梱包されます。不活性雰囲気下で不浸透性パウチ内に密封され、湿気や微粒子への暴露を最小限に抑えます。保管方法は、室温で湿度の低い管理された環境を推奨しています。ご要望に応じて、追加の保護挿入物や特殊ラベルを含むカスタムパッケージングオプションをご利用いただけます。
よくある質問
Q1: フィルムの均一性をモニターするために、どのような品質管理方法が使われていますか?
A1: SAMでは、走査型電子顕微鏡(SEM)とX線回折(XRD)を用いて、膜の均一性を評価し、結晶学的配向を確認し、欠陥密度を低減し、適切な界面発達を保証しています。
Q2: 基板のAlN/Si界面は、半導体デバイスの性能にどのような影響を与えますか?
A2: 界面が明瞭であることは、電気的リークを最小限に抑え、絶縁性を向上させます。
Q3: 基板の特性維持に役立つ保管方法を教えてください。
A3: 汚染を防ぎ、AlN膜の完全性を維持するため、静電気防止包装を使用し、低湿度、温度制御された環境で基板を保管することをお勧めします。
追加情報
窒化アルミニウム(AlN)は、優れた熱伝導性と誘電特性で知られるセラミック材料です。シリコンと組み合わせた基板は、界面と膜の均一性が半導体プロセス規格に適合するよう、緻密な成膜技術が要求されます。AlNとシリコンの相互作用を理解することは、材料性能を最適化する上で極めて重要です。
セラミック基板製造の進歩は、制御された成膜と表面特性の重要性を浮き彫りにしています。熱膨張、誘電特性、界面品質の相互作用は、電子パッケージングとセンサーの統合における研究開発の原動力となり続け、需要の高いさまざまな用途で基板が意図したとおりに機能することを保証しています。