金径100nmシリコンウエハ4インチ x 525μm厚 説明
厚さ4インチ×525μmの金100nmシリコンウェーハ。4インチ×525μm厚は、制御された物理的気相成長法により100nmの金膜で均一にコーティングされたシリコン基板で構成されています。直径4インチ、厚さ525μmは、標準的な半導体加工装置との互換性を保証します。金層は低い電気抵抗率と化学的不活性を提供し、基板プロトタイピングにおける電気測定や接着研究のためのテストプラットフォームとして適しています。
シリコンウエハーに100nmの金層を形成。4インチ x 厚さ525μm 用途
1.エレクトロニクス
- 集積回路製造の基板として使用し、均一な金被膜を利用して明確な電気性能を達成する。
- センサーの校正セットアップに使用し、一貫した金属皮膜特性を利用して接触抵抗を低減。
2.研究開発
- 正確に制御された金被膜を利用して成膜の均一性をモニターするため、プロセス最適化のテストウェハーとして使用。
- 化学的に不活性な金界面を利用し、接合および接着特性を評価する表面研究の参照材料として頻繁に使用。
シリコンウエハー、金直径100 nm。4インチ x 525μm厚 梱包
ウェハは、機械的衝撃と汚染を軽減するために、発泡インサートを備えた帯電防止容器で保護されています。酸化や微粒子への暴露を最小限に抑えるため、窒素パージされたパウチに封入されています。梱包にはエッジ保護が施され、カスタマイズされたラベリングも可能です。 これらの措置により、輸送中および管理された環境での長期保管中も、基板の完全性を維持することができます。
よくある質問
Q1: 100 nmの金コーティングの均一性はどのように確認するのですか?
A1: X線反射率法および原子間力顕微鏡を用いて金層の厚さを確認します。これらの測定技術は、半導体用途で適切な電気的挙動を確保するために不可欠な、膜の均一性に関する定量的データを提供します。
Q2: 表面粗さはどの程度ですか?
A2: 表面粗さは原子間力顕微鏡で測定され、通常サブナノメートルのばらつきを示します。低い表面粗さは、均一な成膜とデバイス製造のための一貫した界面特性をサポートします。
Q3: ウェハーの取り扱いや出荷の際、パッケージはどのように保護されますか?
A3: ウェハーは、静電気防止、窒素パージされた容器に固定され、衝撃を緩和し、微粒子汚染を防止するために発泡スチロールが挿入されています。これらの措置により、輸送中もウェハーの表面状態と構造的完全性が保たれます。
追加情報
シリコンウェーハは、半導体デバイス製造の基本的なプラットフォームとして、様々な蒸着プロセスやリソグラフィプロセスを支えています。薄い金膜を適用することで、電気伝導性と化学的安定性が向上し、研究環境における精密な電気測定や接合研究に不可欠な要素となります。
シリコン上への金蒸着は、蒸着条件と接着層を厳密に制御する必要があります。このような材料の相互作用を理解することは、マイクロエレクトロニクスのプロセス制御とデバイス性能の向上に貢献します。