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  • CY9485 200 mm Pタイプ（Bドープ）シリコンウェーハ基板プライムグレード（100）、SSP、1-100Ω・cm

    • CY9485 200 mm Pタイプ（Bドープ）シリコンウェーハ基板プライムグレード（100）、SSP、1-100Ω・cm

    カタログ番号 CY9485
    素材 Si
    形状 ディスク
    フォーム 基板

    200 mm Pタイプ（Bドープ）シリコンウェーハ基板プライムグレード（100）、SSP、1-100 Ω-cmは、結晶方位が（100）で、抵抗率の範囲が1-100 Ω-cmのシリコンウェーハです。スタンフォード・アドバンスト・マテリアルズ（SAM）で製造されたこの製品は、均一なドーピングを確認するためにイオン注入と抵抗率マッピングが行われます。この品質管理プロセスにより、半導体製造アプリケーション用の均一な基板特性が保証されます。

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    sc/1752221066-TA0075.jpg
    TA0075 二ケイ化タンタル (TaSi2) 粉末 (CAS No. 12039-79-1)
    sc/1751898305-NR0103.jpg
    NR0103 窒化ケイ素粉末 (CAS No.12033-89-5)
    Nano Silicon Nitride (Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NN0219 ナノ窒化ケイ素 (Si3N4) 粉末 (CAS No. 12033-89-5)
    Micro Silicon Nitride (α-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0220 マイクロ窒化ケイ素 (α-Si3N4)パウダー (CAS No. 12033-89-5)
    Micro Silicon Nitride (β-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0221 マイクロ窒化ケイ素 (β-Si3N4)パウダー (CAS No. 12033-89-5)
    Nano Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)
    NN0237 ナノシリコンパウダー (Si) (CAS No.7440-21-3)
    Micro Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)
    NN0238 マイクロシリコンパウダー (Si) (CAS No.7440-21-3)
    Nano Silicon Oxide (SiO2) Powder CAS NO. 7631-86-9
    OX0283 ナノシリコン酸化物 (SiO2) パウダー CAS NO。7631-86-9
    Micro Silicon Oxide (SiO2) Powder (CAS No.7631-86-9)
    OX0284 マイクロ酸化ケイ素 (SiO2) 粉末 (CAS No.7631-86-9)

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