100 mmシリコンウェーハ基板 プライムグレード(100)、SSP、>20000 ohm-cm 説明
この真性シリコンウェーハは、高純度の単結晶シリコンから製造され、(100)方位に正確に配列されています。20000Ω・cmを超える高い抵抗率は、フリーキャリア濃度を低減し、半導体プロセス中のリーク電流を最小限に抑えます。この基板の低欠陥レベルと均一な表面仕上げは、重要なデバイス製造をサポートし、熱処理および化学処理工程における寸法の一貫性と予測可能な電気的挙動を保証します。
100 mm真性シリコンウェーハ基板プライムグレード(100)、SSP、>20000 ohm-cm 用途
1.エレクトロニクスおよび半導体製造
- 集積回路製造の基板として使用され、高抵抗を利用して電荷キャリアのダイナミクスを制御し、高感度デバイスのリークを最小限に抑えます。
- フォトリソグラフィ工程では、均一な表面を得るために使用され、正確なパターン転写と欠陥密度の低減を可能にする。
2.研究開発
- さまざまな加工条件下でのシリコンの挙動に関する理解を深めるため、材料固有の特性を分析する実験的な半導体研究のベース材料として使用。
- プロセスの革新性を検証するためのプロトタイプ・デバイスの製造に使用され、十分に特性化された基板を利用することでばらつきを低減している。
100mm真性シリコンウェーハ基板プライムグレード(100)、SSP、>20000Ω・cm 包装
ウェハは、クリーンルームで承認された帯電防止容器にカスタムカットされたフォームインサートとともに梱包され、湿気や粒子汚染を防ぐために窒素パージされたエンベロープに密封されます。保管条件は、温度制御された低湿度環境を維持する必要があります。真空シールや特殊なキャリアトレイを含むカスタムパッケージングソリューションは、特定の取り扱い要件を満たすために、ご要望に応じてご利用いただけます。
よくある質問
Q1: ウェーハの高い抵抗率は、どのような測定技術で確認できますか?
A1: ウェハは、製造中に4点プローブテストと表面抵抗率マッピングを受けます。これらの技術により、抵抗率が2,000Ω・cmを超える仕様を満たしていることが確認され、半導体プロセスに求められる本質的な品質が検証されます。
Q2: 製造中、ウェハーの表面品質はどのように保証されますか?
A2: 表面品質は、汚染物質や凹凸を検出する干渉計プロフィロメトリーと光学顕微鏡によってモニターされます。この厳格な品質管理により、その後の高精度加工時にデバイス性能に影響を与える可能性のある欠陥を最小限に抑えることができます。
Q3: 基板パラメータを特定の用途向けにカスタマイズできますか?
A3: ご要望に応じて、ウェーハ厚のカスタマイズや表面仕上げプロトコルのカスタマイズなどのカスタマイズが可能です。この柔軟性は、デバイス固有のプロセス統合と性能最適化の開発をサポートします。
追加情報
真性シリコンウェーハは、電荷キャリア濃度が極小であるため、半導体製造の基盤となっています。定義された(100)結晶方位は、デバイス製造時の均一なエッチングと成膜を助け、プロセスの再現性を高めます。これらのウェーハは、主流プロセスにも実験プロセスにも不可欠であり、さまざまな半導体アプリケーションに一貫したプラットフォームを提供する。
製造時に採用される厳格な品質管理プロトコルは、先端エレクトロニクス・アプリケーションにおける正確な材料特性の重要性を強調しています。これらの特性を理解することで、エンジニアや研究者は、ウェハーが重要な業界標準に適合していることを確認しながら、デバイス性能を向上させるためのプロセスパラメーターを最適化することができます。
仕様
|
仕様
|
詳細
|
|
材質
|
シリコン
|
|
成長方法
|
FZ
|
|
配向
|
<100>
|
|
外形寸法
|
直径100 mm x 0.525 mm
|
|
タイプ / ドーパント
|
イントリンシック / アンドープ
|
|
表面仕上げ
|
片面研磨
|
|
電気抵抗率
|
>20000 ohm-cm
|
*上記の製品情報は理論的なデータに基づくものであり、参考値です。実際の仕様は異なる場合があります。