300 mm P タイプ(B ドープ)シリコンウェーハ基板 テストグレード(100)、DSP、1-100 Ω-cm 概要
この基板は、制御されたボロンのドーピングを使用して高純度シリコンから製造され、1-100Ω-cmの抵抗率範囲を実現します。(100)結晶方位は均一性を高め、DSP処理は半導体テストグレードのアプリケーションに重要な表面欠陥を最小限に抑えます。直径300mmは、現在の半導体製造装置との互換性を保証し、正確な抵抗率測定とプロセス検証をサポートします。
300 mm Pタイプ(Bドープ)シリコンウェーハ基板 テストグレード(100)、DSP、1-100 Ω-cm 用途
エレクトロニクスおよび半導体用途
- 半導体計測システムの基板として使用され、制御されたボロンドープと精密なDSP処理により、正確な抵抗率プロファイリングを実現します。
- 信頼性の高い試験結果を得るために均一な(100)方位を利用することにより、ドーピング研究の一貫性を促進するプロセス開発ツールに適用。
材料研究
- 安定した抵抗率範囲と最小化された表面欠陥を利用して、再現性のある結果を達成するために、研究所内の拡散研究に利用されます。
- 半導体製造技術を評価するための実験セットアップに使用し、忠実度の高い材料特性評価を実現します。
300 mm Pタイプ(Bドープ)シリコンウェーハ基板 テストグレード(100)、DSP、1-100 Ω-cm梱包
ウェハは個別に帯電防止キャリアに密封され、湿度管理された不活性ガスパージパッケージ内に配置されます。カスタムフォームインサートは、輸送中の機械的衝撃や振動から保護します。保管には、表面の酸化や汚染を防ぐため、クリーンで低湿度の環境が必要です。特殊なラベリングや区画分けを含むカスタムパッケージングオプションは、特定の取り扱い要件を満たすために、ご要望に応じてご利用いただけます。
よくある質問
Q1: DSP処理は、半導体試験における基板性能にどのような影響を与えますか?
A1: DSP処理により、表面の欠陥や凹凸が減少し、測定時の散乱の影響が最小限に抑えられます。これにより、さまざまな処理条件の下でも、安定した抵抗率の測定値と一貫した試験結果を得ることができます。
Q2: ウェハ全体のボロンのドーピング・レベルを制御するために、どのような対策が必要ですか?
A2: インラインプロセス制御と高分解能検査技術は、製造中のボロン拡散を監視します。これらの方法は、抵抗率が1~100Ω・cmの範囲内にあることを確認します。
Q3: ウェハーの完全性を維持するには、どのような保管条件が推奨されますか?
A3: ウェハーは酸化を避けるため、温度管理された低湿度の環境で保管する必要があります。さらに、保護用の帯電防止パッケージにより、表面が汚染物質や機械的損傷から保護されます。
追加情報
シリコンウェーハは、その信頼性の高い電気特性と微細加工技術との互換性により、半導体デバイスの基礎基板として使用されています。ドーピングプロセスと表面処理技術の進歩により、生産環境における歩留まりと性能が向上しています。
ウェハー製造におけるDSP処理と制御された結晶方位の統合は、精密なテストグレードのアプリケーションをサポートします。このアプローチは、測定精度を向上させるだけでなく、商業および研究環境における半導体プロセス革新の広範な発展にも貢献します。
仕様
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仕様
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詳細
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材質
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シリコン
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成長方法
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CZ
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配向
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<100>
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外形寸法
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直径300 mm x 0.775 mm
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タイプ / ドーパント
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P / ホウ素
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表面仕上げ
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両面研磨
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電気抵抗率
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1-100 Ω-cm
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*上記の製品情報は理論的なデータに基づくものであり、参考値です。実際の仕様とは異なる場合があります。