100 mm N タイプ(P ドープ)シリコンウェーハ基板 プライムグレード (100)、SSP、0.001-0.01 Ω-cm 説明
このウェハは、プライムグレード(100)配向の高純度シリコンから製造され、デバイスの集積化に最適な結晶学的特性を保証します。制御されたPの混入によるN型ドーピングにより、0.001-0.01Ω-cmの抵抗率範囲が得られ、精密な電子動作に不可欠です。SSP仕上げは、平滑で欠陥の少ない表面を提供し、歩留まりの高い半導体加工を可能にします。均一なドーパント分布と低いコンタミネーションレベルにより、ウェハ全体で一貫した電気的性能を実現します。
100 mm Nタイプ(Pドープ)シリコンウェーハ基板 プライムグレード(100)、SSP、0.001-0.01 Ω-cm 用途
エレクトロニクス
- 半導体デバイスの集積回路用基板として使用され、定義された(100)方位とSSP仕上げを利用して、制御されたドーパント・プロファイルを実現します。
- 高速トランジスタ製造のベース材料として使用され、指定された抵抗率範囲を利用して低信号損失を実現します。
工業用
- センサーアレイに使用され、均一なPドーピングにより安定した電気特性を確保。
- マイクロエレクトロメカニカルシステムの基礎層として使用され、結晶の配向を制御することで正確な電子的挙動を確保する。
100 mm Nタイプ(Pドーピング)シリコンウェーハ基板 プライムグレード(100)、SSP、0.001-0.01 Ω-cm梱包
ウェハーは、汚染や機械的損傷を防ぐため、発泡パッド付きの帯電防止キャリアに個々に固定され、湿気バリアパウチに密封されています。熱ストレスや酸化を避けるため、清潔で温度制御された環境で保管する必要があります。特殊な保管条件を満たすため、真空シールや不活性ガス環境などのカスタムパッケージングオプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1: ウェハーの平坦性と欠陥の最小化は、製造中にどのように確保されますか?
A1: SAMでは、精密な化学処理と高解像度のSEM検査により、表面の均一性と欠陥密度を監視しています。このプロセスにより、ウェーハ全体の厚さのばらつきを評価し、微小欠陥を最小限に抑えることで、半導体アプリケーションの一貫したウェーハ平坦度を保証します。
Q2: シリコンウェーハの保管条件は?
A2: ウェハーは、管理された低湿度の環境で、安定した室温で保管してください。取り扱いや輸送中の汚染や機械的ストレスを防ぐため、帯電防止、防湿梱包を使用してください。
Q3: 製造工程では、どのようにして規定の抵抗率範囲を維持しているのですか?
A3: 製造工程には、工程内抵抗率モニタリングによる制御されたPドーピングが組み込まれています。これにより、各ウェハーは0.001~0.01Ω・cmの範囲内に保たれ、先端半導体デバイス製造に必要な一貫した電気的性能を実現します。
追加情報
シリコンウェーハは、ドーパント分布と結晶方位の正確な制御が不可欠な半導体技術において、基礎となる材料です。明確に定義された電気特性と表面品質の組み合わせは、デバイスの性能と集積の複雑さに直接影響します。現代の電子システムに求められる微妙な材料特性を実現するには、詳細な計測と制御された加工条件が不可欠です。
ドーピング技術と表面処理方法の進歩は、ウェハーの性能向上を推進し続けています。これらの開発は、半導体デバイスの信頼性を高めるだけでなく、様々なハイテク産業における更なる小型化と集積化を可能にします。
仕様
|
仕様
|
詳細
|
|
材質
|
シリコン
|
|
成長方法
|
MCZ
|
|
配向
|
<100>
|
|
寸法
|
直径100 mm x 0.525 mm
|
|
タイプ / ドーパント
|
N / リン
|
|
表面仕上げ
|
片面研磨
|
|
電気抵抗率
|
0.001-0.01 Ω-cm
|
*上記製品情報は理論値であり、参考値です。実際の仕様とは異なる場合があります。