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  • SC9899 再結晶炭化ケイ素サガー

    • SC9899 再結晶炭化ケイ素サガー

    カタログ番号 SC9899
    素材 SiC
    純度 ≥99%
    フォーム サガー
    密度 ~2.7 g/cm³

    再結晶炭化ケイ素サガーは、微細構造を達成するために制御された再結晶プロセスによって製造されるSiCセラミックです。スタンフォード・アドバンスト・マテリアルズ（SAM）は、詳細な熱処理プロトコルを採用し、社内でXRDと熱分析を行い、材料の均一性を監視しています。このプロセスにより、高温環境下でのセラミックの安定性が保証され、工業環境における材料の性能を支えています。

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    High Purity Silicon Carbide Powder (SiC Powder) (CAS No.409-21-2)
    SC0892 高純度炭化ケイ素粉末（SiC粉末） (CAS No.409-21-2)
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    sc/1752221027-SC0893.jpg
    SC0893 炭化ケイ素ベアリング（SiCベアリング）
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    sc/1744365382-SC0894_01.jpg
    SC0894 炭化ケイ素シールリング（SiCリング）
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    Silicon Carbide Balls
    SC0895 炭化ケイ素ボール（SiCボール）
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    Silicon Carbide Plate
    SC0896 炭化ケイ素プレート（SiCプレート）
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    sc/1751898312-SC0897.jpg
    SC0897 炭化ケイ素ノズル（SiCノズル）
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    SC0908 Silicon Carbide Tube (SiC Tube)
    SC0908 炭化ケイ素チューブ、SiCチューブ
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    SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)
    SC0957 炭化ケイ素トレイ（SiCトレイ）
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