再結晶炭化ケイ素プレート 10 mm 厚 説明
再結晶炭化ケイ素プレート10 mm厚は、高純度(>99%)SiCから製造され、密度は約2.7 g/cm³です。精密な寸法制御と1650℃までの動作温度を持つこのプレートは、熱管理と構造的完全性が重要な用途向けに設計されています。再結晶構造により欠陥を最小限に抑え、工業プロセスや電子プロセスにおいて安定した性能を発揮します。
再結晶炭化ケイ素プレート 10 mm 厚 用途
エレクトロニクスおよび半導体プロセス
- パワーエレクトロニクス機器の基板として使用され、高純度組成と安定した熱特性を活かして効果的な放熱を実現します。
- 一貫した微細構造により材料膨張の問題を最小限に抑え、制御された熱サイクルをサポートする半導体装置に使用される。
高温産業システム
- 寸法安定性を利用して熱変形を緩和するため、炉の内張りの構造部品として使用される。
- 高温処理システムの熱管理要素として使用され、高熱負荷下での持続的な運転をサポートします。
再結晶炭化ケイ素プレート 10 mm 厚 梱包
プレートは、機械的衝撃を緩和するために発泡緩衝材を使用した頑丈な帯電防止容器に梱包されています。保護包装により、輸送中の粒子汚染を最小限に抑えます。プレートは、材料の完全性を維持するため、温度管理された状態で保管されます。湿気バリアシールや個別のラベル付けを含むカスタム包装オプションは、特定の取り扱いおよび保管要件を満たすために利用可能です。
よくある質問
Q1: 高純度SiC組成はプレートの熱性能にどのような影響を与えますか?
A1: 高純度SiCは不純物からの干渉を最小限に抑え、1650℃まで安定した熱管理を保証します。この均一な組成は、高温の産業環境における安定した放熱をサポートします。
Q2: 製造工程では、どのような品質管理が行われていますか?
A2: SAMは、X線回折分析と組み合わせた詳細な微細構造評価により、結晶粒の配向と欠陥レベルを検出します。これらの測定は、各製造バッチにおける技術仕様の順守を確認するのに役立ちます。
Q3: 特定のエンジニアリング用途向けに、プレートの寸法をカスタマイズできますか?
A3: はい、板厚やその他の寸法についてカスタマイズが可能です。お客様は、材料固有の特性が一定であることを保証しながら、オーダーメイドのサイズを要求することができます。
追加情報
炭化ケイ素セラミックは、その優れた熱伝導性と化学的不活性で知られており、熱衝撃や腐食条件への耐性が求められる環境で広く利用されています。 この材料の物理的特性は、パワーエレクトロニクスから工業炉部品まで、幅広い用途での性能を支えています。
再結晶技術の進歩により、SiCの微細構造が改良され、粒界欠陥が減少し、機械的安定性が向上しました。このため、セラミックプレートは、高温条件下での精度と耐久性が重要な用途に特に適している。