再結晶炭化ケイ素プレート 50 mm 厚 説明
厚さ50 mmの再結晶炭化ケイ素プレートは、純度99%以上、密度約2.7 g/cm³のSiCを主成分とするセラミック材料です。このプレートは、1650 ℃までの使用温度に耐えるため、高い熱安定性が要求される用途に適しています。再結晶構造により、均一な微細構造が確保され、性能を損なう可能性のある欠陥が低減されている。光学的および微細構造評価による詳細な品質チェックにより、寸法精度と組成の一貫性が検証され、高温の工業加工や構造用途に適しています。
厚さ50mmの再結晶炭化ケイ素プレート 用途
1.エレクトロニクスおよび半導体加工
- 高出力半導体デバイスの熱管理基板として使用され、プレートの高温安定性を利用して放熱する。
- レーザー加工システムの支持部品として使用され、高温にさらされた際の構造的完全性を維持する。
2.工業用加熱・加工装置
- 工業炉の耐火物部品として使用され、1650℃までの温度に耐える能力を活かして安定した運転性能を実現する。
- 高温化学処理室では、化学的に不活性なバリアを提供し、汚染リスクを最小限に抑える。
3.先端研究開発
- 材料科学研究所の試験片として使用され、再結晶微細構造を利用して極限条件下での熱的・構造的挙動を評価する。
- 高温測定システムの校正標準として使用し、外来不純物による歪みのない熱システムの応答を検証する。
再結晶炭化ケイ素プレート 50 mm 厚 パッキング
厚さ50mmの再結晶炭化ケイ素プレートは、特注のクッション発泡トレイに入れられ、硬質で耐湿性のある容器にしっかりと梱包されています。梱包には帯電防止ライニングと密封層が組み込まれており、輸送中および保管中の汚染リスクを軽減します。製品は、低湿度と安定した周囲温度を維持し、管理された環境で保管することを推奨します。不活性雰囲気やラベリングを含むカスタム包装のオプションは、ご要望に応じて承ります。
よくある質問
Q1: 炭化ケイ素プレートの微細構造の均一性はどのように確保されていますか?
A1: 再結晶化プロセスは、インライン光学検査と微細構造分析を用いてモニターされます。これにより、プレートが一貫して要求される純度と密度の仕様に適合していることが保証されます。これは、極端な熱条件を伴う用途では非常に重要です。
Q2: プレートの特性を維持するためには、どのような保管条件が必要ですか?
A2: プレートの吸湿と熱劣化を防ぐため、乾燥した温度管理された環境で保管する必要があります。推奨される条件は、材料の完全性を維持するために、温度変動を最小限に抑えた低湿度環境です。
Q3: このプレートを特定の産業用途向けにカスタマイズできますか?
A3: はい、特定の用途の要件に合わせるため、寸法やパッケージの変更、組成のわずかな調整などのカスタマイズが可能です。詳細な相談により、プレートが必要とされる正確な操作仕様を満たすことを保証します。
追加情報
炭化ケイ素は、高い熱安定性と化学的不活性で知られる定評あるセラミック材料です。その特性は、標準的な材料が極端な条件下で故障する可能性のある環境において、魅力的な選択肢となります。SiCの研究は、その性能を向上させ、高温処理や高度な電子システムにおける潜在的な用途を拡大し続けている。
セラミック材料の分野では、再結晶法が微細構造の不規則性を減らすために重要である。このプロセスは、予測可能で一貫した特性を持つ材料を製造する上で重要な役割を担っています。 このような技術の継続的な開発は、耐久性と性能が最優先される研究用途と産業用途の両方において、炭化ケイ素の統合をサポートしています。