再結晶炭化ケイ素ディスクの説明
再結晶炭化ケイ素ディスクは、欠陥密度を最小限に抑えながら結晶化度を高めるために、制御された熱プロセスを使用して製造されます。材料密度は約2.7g/cm3で、ディスクの形状は最適化されており、取り扱いと性能の安定性が向上しています。1650℃までの温度で確実に動作するため、熱ストレスのかかる用途に適しています。カスタマイズ可能な寸法により、様々なエンジニアリングシステムへの統合が可能です。
再結晶炭化ケイ素ディスクの用途
エレクトロニクスおよび半導体用途
- 高出力LEDシステムのヒートスプレッダとして使用され、SiCの高い熱伝導率を利用して効果的な熱放散を実現します。
- パワーエレクトロニクス・モジュールの基板として使用され、その耐久性のある微細構造を利用して高温下でも性能を維持します。
工業用途
- 炉の断熱システムの部品として使用され、その制御された結晶性を利用して一貫した熱管理を実現する。
- 耐摩耗部品として高摩耗環境下で使用され、その高密度構造を活かして耐用年数を延長します。
再結晶炭化ケイ素ディスクの包装
ディスクは、輸送中の機械的ストレスと汚染を軽減するため、クッション性のある不活性材料で裏打ちされた容器に梱包されます。 帯電防止フォームインサートと耐湿性密封袋は、表面の完全性と材料の純度を維持します。性能特性を維持するため、温度管理された保管が推奨されます。特定の物流要件を満たすため、ご要望に応じて小分けや特殊なラベル付けを含むカスタム包装オプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1:純度99%以上の材料は、熱性能にどのような影響を与えますか?
A1: 高純度レベルは、不純物による応力集中を軽減し、高温での安定した機械的・熱的特性の維持に役立ちます。分光分析を含む品質評価により、炭化ケイ素マトリックスの純度が確認されています。
Q2: 高温用途で寸法をカスタマイズするメリットは何ですか?
A2: カスタマイズされた寸法は、既存のアセンブリへの正確な統合を可能にし、最適な熱管理と様々なシステム設計との互換性を保証します。この適応性により、ディスクは特定のエンジニアリング要件を満たすことができます。
Q3:製造工程ではどのような品質管理が行われていますか?
A3: 製造工程では、電子顕微鏡と熱分析による定期検査を行い、微細構造の完全性と寸法精度を検証しています。これらの対策により、ディスクが設計された性能パラメータを維持することが保証されます。
追加情報
炭化ケイ素(SiC)は、その高い熱伝導性と卓越した機械的強度で知られる著名なセラミック材料です。 再結晶化は、粒界や欠陥を減少させることで微細構造を精製し、高い熱負荷や機械的負荷がかかる用途に不可欠です。このプロセスは、厳しい環境下での材料の安定性を高めます。
セラミック加工における最近の進歩により、SiC部品の結晶構造を精密に制御することが可能になりました。このような制御は、熱性能を向上させるだけでなく、高温炉や研磨システムなどの産業用途における材料の寿命を延ばすことにもつながります。