再結晶炭化ケイ素ディスク Dia.25.4 mm 説明
再結晶炭化ケイ素ディスク Dia.25.4mmは、完全にSiCで構成され、≤1650℃までの高温条件に適した洗練された微細構造を達成するために処理されています。ディスクのフォームファクターと25.4 mmの正確な寸法は、セラミック加工装置との互換性を保証します。約2.7g/cm³の密度は、剛性の高い構造性能に貢献し、高い化学純度は、熱的弾力性と電気絶縁性を必要とする用途をサポートします。
再結晶炭化ケイ素ディスク Dia.25.4 mm 用途
工業用途
- 高い耐熱性を活かして安定した支持を得るために、炉内ライナーの部品として使用されます。
- 制御された微細構造により寸法安定性を維持するため、高摩耗システムの耐摩耗表面として使用されます。
エレクトロニクス用途
- パワーモジュールの絶縁基板として使用され、固有の電気抵抗率を利用して効果的な熱管理を実現します。
エネルギー用途
- LEDシステムの基材として使用され、その安定した高温特性を利用して効率的な熱放散を実現します。
再結晶炭化ケイ素 ディスク径25.4 mm パッキン
再結晶炭化ケイ素ディスク Dia.25.4mmは、汚染や機械的損傷を軽減するために、耐湿性インサート付きの発泡裏地付き帯電防止容器に個別に梱包されています。温度と湿度が管理された条件下での保管をお勧めします。特殊な緩衝材やラベリングを含む、カスタマイズされたパッケージング・オプションは、ご要望に応じてご利用いただけます。
よくある質問
Q1: 制御された再結晶プロセスは、SiCディスクの性能をどのように向上させますか?
A1: 再結晶化によって結晶粒構造が微細化され、内部欠陥が減少します。このプロセスにより、高温環境における熱伝導性と構造性能が向上します。
Q2: 設置時の取り扱い上の注意を教えてください。
A2: ディスクの取り扱いにはニトリル手袋を使用し、表面の傷や汚染を防ぐために静電気防止包装を使用してください。適切な取り扱いは、微細構造を維持し、意図した電気的・熱的特性を維持します。
Q3:ディスクの寸法を特定の用途に合わせて調整することはできますか?
A3: はい、寸法修正が可能です。高度な機械加工と材料の特性評価により、重要な特性と性能の均一性を維持することができます。
追加情報
炭化ケイ素セラミックは、その高い熱伝導性と高温での安定性で広く研究されています。SiCの強い共有結合と耐火性の性質は、熱および化学的ストレスが支配的な環境において、SiCの価値を高めています。加工方法と微細構造の関係を理解することは、先端セラミック用途における材料性能を最適化するために不可欠です。
最近のアニールと表面評価技術の発展は、欠陥の最小化と結晶粒の整列に関する洞察を深めており、これらの進歩は、予測可能な機械的および熱的特性を持つセラミックに依存する産業、エネルギー、およびエレクトロニクスの分野における性能の向上に寄与しています。