再結晶炭化ケイ素 ディスク径45 mm 説明
再結晶炭化ケイ素ディスクDia.45 mmは、純度99%以上のSiCから製造され、直径45 mmのディスクに成形されています。この材料の高い熱安定性と制御された密度(~2.8g/cm³)は、1650℃までの高温環境での使用を容易にします。再結晶化された微細構造は、粒界のばらつきを最小限に抑え、熱的均一性と機械的剛性を向上させます。そのフォームファクターは、精密な取り付けと一貫した材料挙動を必要とするシステムへの統合をサポートします。
再結晶炭化ケイ素ディスク Dia.45 mm 用途
工業用温度システム
- 高温炉の構造部品として使用し、最小限の粒界欠陥を利用して均一な熱分布を実現します。
- 高温に長時間さらされる熱処理装置の断熱材として使用されます。
半導体プロセス
- 半導体製造システムの基板として使用され、その高純度と制御された寸法整合性により、安定したプラットフォームを提供します。
- 一貫した熱サイクルを保証するため、急速熱処理装置のサポート部品として使用されます。
再結晶炭化ケイ素ディスク Dia.45 mm 梱包
ディスクは、物理的衝撃と汚染を軽減するために、防湿バリアパウチに包まれた高密度、帯電防止フォームライニング容器に梱包されています。ディスクは、微細構造の完全性を保つため、湿度調整された温度制御環境で保管されます。特定の輸送や保管の要件を満たすために、コンパートメント化された挿入物や特殊なラベリングなど、カスタマイズされたパッケージング・オプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q1: 製造中、ディスクの直径はどのように均一化されるのですか?
A1: SAMでは、精密製材と高度な寸法測定技術を駆使して、製造工程全体を通して直径45mmを一定に保ち、監視しています。このような手法により、ばらつきを抑え、標準化された装置との互換性を確保しています。
Q2: SiC材料の純度99%以上を確認するために、どのような方法が使用されていますか?
A2: 蛍光X線分析(XRF)や誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)などの技術を用いて純度を確認しています。これらの検査は正確な組成データを提供し、材料が要求される純度仕様を満たしていることを保証します。
Q3: この炭化ケイ素ディスクは急激な温度変化に耐えられますか?
A3: ディスクの再結晶構造は、熱応力を効率的に管理するように設計されています。1650℃までの高温安定性により、構造的完全性を維持しながら、急速な加熱・冷却サイクルを伴うプロセスに適しています。
追加情報
炭化ケイ素(SiC)は、その卓越した熱的・化学的安定性により、材料科学の分野で広く認知されています。その本質的な特性は、厳しい使用条件下で耐久性のある性能を必要とする用途をサポートします。再結晶プロセスにより微細構造がさらに微細化され、内部欠陥が減少し、高温環境における材料全体の性能が向上します。
SiCの研究は、高速機械加工、電子基板、耐火物ライニングを含む高度な産業用途での使用を拡大し続けている。微細構造と熱挙動の相互作用を理解することは、機械的強度と熱効率の両方が要求される機器にSiCを組み込む上で極めて重要である。
仕様
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パラメータ
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値
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SiC含有量
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≥99%
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寸法
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カスタマイズ
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圧縮強度
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≥600 MPa以上
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使用温度
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≤1650 ℃
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*上記の製品情報は 理論データに基づくもの であり、参考値です。実際の仕様は異なる場合があります。