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  • SC9933 再結晶炭化ケイ素バーナー

    • SC9933 再結晶炭化ケイ素バーナー

    カタログ番号 SC9933
    素材 SiC
    フォーム バーナー
    純度 ≥99%
    密度 ~2.7 g/cm³

    再結晶炭化ケイ素バーナーは、制御された熱処理とSiC形成プロセスを監視するための相同定技術を使用して、スタンフォード・アドバンスト・マテリアルズ（SAM）によって製造されます。SAMは、X線回折と熱分析による体系的な材料特性評価を実施し、構造の均一性を保証しています。この実用的な品質管理により、バーナーは高温セラミック用途の厳格な基準を満たし、不純物に関連する問題を最小限に抑え、工業プロセスにおける安定した性能を保証します。

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    最終推奨

    High Purity Silicon Carbide Powder (SiC Powder) (CAS No.409-21-2)
    SC0892 高純度炭化ケイ素粉末（SiC粉末） (CAS No.409-21-2)
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    sc/1752221027-SC0893.jpg
    SC0893 炭化ケイ素ベアリング（SiCベアリング）
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    sc/1744365382-SC0894_01.jpg
    SC0894 炭化ケイ素シールリング（SiCリング）
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    Silicon Carbide Balls
    SC0895 炭化ケイ素ボール（SiCボール）
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    Silicon Carbide Plate
    SC0896 炭化ケイ素プレート（SiCプレート）
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    sc/1751898312-SC0897.jpg
    SC0897 炭化ケイ素ノズル（SiCノズル）
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    SC0908 Silicon Carbide Tube (SiC Tube)
    SC0908 炭化ケイ素チューブ、SiCチューブ
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    SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)
    SC0957 炭化ケイ素トレイ（SiCトレイ）
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