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  • SC9980 反応結合炭化ケイ素バーナー

    • SC9980 反応結合炭化ケイ素バーナー

    カタログ番号 SC9980
    素材 SiC
    純度 85-92%
    フォーム バーナー
    密度 ~2.8 g/cm³

    反応接合炭化ケイ素バーナーは、高温用途に適した堅牢なSiC構造を形成する反応接合プロセスを用いて製造されます。スタンフォード・アドバンスト・マテリアルズ(SAM)は、制御された高温焼結とSEMイメージングを含む厳密な微細構造分析を採用し、結晶粒の均一性と気孔率を監視しています。このプロセスにより、各バーナーは、一貫した材料特性を維持しながら、要求の厳しい産業用途に不可欠な厳しい寸法および熱安定性要件を満たすことができます。

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    High Purity Silicon Carbide Powder (SiC Powder) (CAS No.409-21-2)
    SC0892 高純度炭化ケイ素粉末（SiC粉末） (CAS No.409-21-2)
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    sc/1752221027-SC0893.jpg
    SC0893 炭化ケイ素ベアリング（SiCベアリング）
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    SC0894 炭化ケイ素シールリング（SiCリング）
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    Silicon Carbide Balls
    SC0895 炭化ケイ素ボール（SiCボール）
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    Silicon Carbide Plate
    SC0896 炭化ケイ素プレート（SiCプレート）
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    SC0897 炭化ケイ素ノズル（SiCノズル）
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    SC0908 Silicon Carbide Tube (SiC Tube)
    SC0908 炭化ケイ素チューブ、SiCチューブ
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    SC0957 炭化ケイ素トレイ（SiCトレイ）
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