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Stanford Advanced Materials
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  • SM9723 窒化ケイ素放射管

    • SM9723 窒化ケイ素放射管

    カタログ番号 SM9723
    化学式 Si3N4
    分子量 140.28 g/mol
    密度 3.18 - 3.44 g/cm³

    窒化ケイ素ラジアントチューブは、高品位Si3N4と高度な焼結技術を用いて製造され、微細構造を制御したチューブ形状を実現します。スタンフォード・アドバンスト・マテリアルズ（SAM）では、焼結工程で赤外線サーモグラフィを採用し、温度プロファイルを客観的に検証し、均一なバッチ生産を実現しています。この品質管理方法は、マイクロクラックを最小限に抑え、熱放射率を向上させ、測定および文書化された工程管理で高温アプリケーションをサポートします。

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    sc/1751898305-NR0103.jpg
    NR0103 窒化ケイ素粉末 (CAS No.12033-89-5)
    Nano Silicon Nitride (Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NN0219 ナノ窒化ケイ素 (Si3N4) 粉末 (CAS No. 12033-89-5)
    Micro Silicon Nitride (α-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0220 マイクロ窒化ケイ素 (α-Si3N4)パウダー (CAS No. 12033-89-5)
    Micro Silicon Nitride (β-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)
    NR0221 マイクロ窒化ケイ素 (β-Si3N4)パウダー (CAS No. 12033-89-5)
    Nano Silicon Oxide (SiO2) Powder CAS NO. 7631-86-9
    OX0283 ナノシリコン酸化物 (SiO2) パウダー CAS NO。7631-86-9
    Micro Silicon Oxide (SiO2) Powder (CAS No.7631-86-9)
    OX0284 マイクロ酸化ケイ素 (SiO2) 粉末 (CAS No.7631-86-9)
    High Purity Silicon Carbide Powder (SiC Powder) (CAS No.409-21-2)
    SC0892 高純度炭化ケイ素粉末（SiC粉末） (CAS No.409-21-2)
    sc/1752221027-SC0893.jpg
    SC0893 炭化ケイ素ベアリング（SiCベアリング）
    sc/1744365382-SC0894_01.jpg
    SC0894 炭化ケイ素シールリング（SiCリング）

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