ビスマス フェライト (BiFeO3) スパッタリング ターゲット 説明
ビスマスフェライト(BiFeO3)スパッタリングターゲットは、高度な薄膜蒸着プロセス用に設計されています。厳格な品質管理のもとで製造されたこのターゲットは、99%以上の高純度とRFおよびDCスパッタリング中の卓越した性能を保証します。その堅牢な特性により、優れた密着性、均一性、化学的安定性を持つ薄膜の製造が可能となり、エレクトロニクスやエネルギーデバイスの重要な用途に非常に適しています。さらに、このターゲットは、次世代のセンサーやメモリー・デバイスにおいて極めて重要なマルチフェロイック材料の製造を効率的にサポートする。
ビスマス・フェライト(BiFeO3)スパッタリングターゲット用途
- 薄膜蒸着:半導体および太陽電池産業における高品質薄膜の製造に最適。
- マルチフェロイックデバイス多機能特性が重要なセンサーやメモリーデバイスに使用されます。
- 先端コーティング:電子部品用の優れた密着性と安定性を持つコーティングの製造に応用される。
- 研究開発:学術および産業研究所の実験的成膜セットアップに適しています。
ビスマスフェライト(BiFeO3)スパッタリングターゲットパッキング
当社のビスマスフェライトスパッタリングターゲットは、輸送中の汚染から保護し、製品の完全性を確保するために、カスタム設計されたパッケージに慎重に真空封入されています。梱包オプションは、お客様のご要望に応じてカスタマイズ可能です。
よくある質問
Q: ビスマスフェライト(BiFeO3)スパッタリングターゲットはどのような用途に最適ですか?
A: 半導体、太陽電池、センサー製造における薄膜蒸着や、マルチフェロイックデバイスの開発に最適です。
Q: このターゲットではどのスパッタリング法が使用できますか?
A: このターゲットはRFスパッタリングとDCスパッタリングの両方に対応しており、様々な成膜システムで汎用性を確保しています。
Q: 高純度(99%以上)はスパッタリングプロセスにどのように役立ちますか?
A: 高純度であるためコンタミネーションが少なく、優れた膜質、デバイス性能の向上、成膜プロセスの信頼できる再現性が得られます。
Q: "Type of Bond: Indium, Elastomer "は何を示していますか?
A: スパッタリング中に最適な熱的・機械的安定性を提供するように設計されたターゲット・アセンブリで使用される接合方法を指します。
Q: ターゲットは特定のプロジェクト要件に応じてカスタマイズできますか?
A: はい、様々なスパッタリングシステムやアプリケーションの特定のニーズを満たすために、形状や利用可能なサイズはカスタマイズ可能です。
仕様
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仕様
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詳細
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材質
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BiFeO₃
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CAS番号
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12010-42-3
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純度
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≥99%
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形状
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ディスク、または特注品
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融点
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1255℃
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密度
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8.22 g/cm³
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スパッタモード
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RF、DC
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ボンドの種類
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インジウム, エラストマー
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サイズ
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カスタマイズ
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*上記の製品情報は理論データに基づくものであり、参考値です。実際の仕様は異なる場合があります。