炭化ケイ素(SiC)スパッタリングターゲット 説明
炭化ケイ素(SiC)スパッタリングターゲットは、高度な産業用途における精密薄膜蒸着用に設計されています。 最先端の技術を用いて製造されたこのターゲットは、卓越した熱安定性、高い化学的不活性、RFプラズマ条件下での一貫した性能を発揮します。その高純度とカスタマイズ可能な形状により、信頼性と均一性が重要な、困難な蒸着プロセスに最適です。
炭化ケイ素(SiC)スパッタリングターゲット用途
- 半導体製造:マイクロエレクトロニクスデバイスの保護膜および機能性SiC膜の成膜に使用されます。
- 薄膜コーティング:光学およびエレクトロニクス用の耐久性のある高性能コーティングの成膜に使用。
- MEMSデバイス:堅牢で安定した薄膜を必要とする微小電気機械システムの製造に適しています。
- 研究開発次世代の材料や電子部品を開発するための実験セットアップに使用されます。
炭化ケイ素(SiC)スパッタリングターゲットパッキング
当社の炭化ケイ素スパッタリングターゲットは、原始的な状態を維持するため、密封されたコンタミネーションのない容器に梱包されています。特定の注文サイズや物流要件に合わせたカスタム梱包オプションもご利用いただけます。
よくある質問
Q: 炭化ケイ素スパッタリングターゲットは主にどのような産業で使用されていますか?
A: 半導体製造、薄膜コーティングプロセス、MEMSデバイスの開発、および研究開発用途で広く使用されています。
Q: このターゲットはどのようなスパッタリングプロセス用に設計されていますか?
A: ターゲットはRFスパッタリングプロセス用に特別に設計されており、均一で安定した成膜が可能です。
Q: 融点が2730℃と高いのはなぜですか?
A: 融点が高いため、ターゲットはスパッタリング中の激しい熱環境に耐えることができ、過酷な条件下でも性能と安定性を維持することができます。
Q: スパッタリングターゲットの形状はどの程度カスタマイズ可能ですか?
A: ターゲットは標準ディスクとして、または特定の装置やアプリケーションのニーズに合わせてカスタムメイドの形状で製造することができます。
Q: ターゲットの性能を保証する品質基準は何ですか?
A: 各ターゲットは99%以上の純度で製造され、厳格な品質管理措置を受けています。