ニオブシリサイド(NbSi2)スパッタリングターゲット 説明
ニオブシリサイド(NbSi2)スパッタリングターゲットは、真空蒸着プロセスで優れた性能を発揮するように設計されています。制御された密度と1950℃の融点で製造されたこのターゲットは、優れた熱安定性と一貫性を提供します。高純度(99%以上)であるため、最適な膜質と均一性が保証され、半導体製造、ディスプレイ技術、太陽エネルギー装置などの重要な用途に適しています。 この製品はディスクで入手可能であり、特定の産業要件に合わせて特注することもできます。
ニオブシリサイド(NbSi2)スパッタリングターゲット用途
- 薄膜蒸着:半導体デバイス、集積回路、マイクロエレクトロニクス部品に最適です。
- ディスプレイ製造フラットパネルディスプレイの導電層や保護層の成膜に使用されます。
- 太陽電池:太陽電池用途に不可欠な高品質で均一な薄膜の作成を支援する。
- 高度なコーティング技術:高温環境下での堅牢なコーティングを必要とする用途に適している。
ニオブシリサイド(NbSi2)スパッタリングターゲットパッキング
ニオブシリサイドスパッタリングターゲットは、その完全性と品質を保証するために、管理されたクリーンルーム条件下で梱包されます。 お客様のご要望に応じてカスタマイズされた梱包オプションもご用意しており、安全な輸送と保管を保証します。
よくある質問
Q: ケイ化ニオブ (NbSi2) スパッタリングターゲットの推奨アプリケーションは何ですか?
A: 半導体、ディスプレイ、太陽電池製造に使用される高度な薄膜蒸着プロセスに最適です。
Q: NbSi₂スパッタリングターゲットの純度は?
A: 当製品は99%以上の高純度レベルを提供しています。
Q: スパッタリングターゲットは形状やサイズをカスタマイズできますか?
A: はい、ターゲットはディスクで入手可能であり、特定の顧客の要求に応じてカスタムメイドすることもできます。
Q: ターゲットの融点と密度の仕様を教えてください。
A: ターゲットの融点は1950℃、密度は5.53~5.7g/cm³です。
Q: このターゲットは高温用途に適していますか?
A: もちろんです。融点が高いため、高温環境下でも優れた性能を発揮します。